MOSFET的强电磁脉冲损伤效应研究.pdfVIP

目录CONTENTS

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02

MOSFET的基本原理

03

强电磁脉冲概

强电磁脉冲对

04

应

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MOSFET的基本原理

MOSFET的工作原理

定义：金属氧化物半导体结构：栅极、源极、漏极工作原理：通过电压控制

场效应晶体管和半导体层半导体内的导电性

MOSFET的特性参数

阈值电压：指MOSFET开启和

关闭的电压间的导通电阻

跨导：指MOSFET的跨导系数，

表示漏极电流与栅极电压的关

MOSFET的应用领域

电源管理电机控制音频放大

强电磁脉冲概述

强电磁脉冲的产生

核爆炸

高能物理实

太阳耀斑爆发

强电磁脉冲的特点

强电磁脉冲的影响

强电磁脉冲对MOSFET

效应

损伤类型和机理

热损伤：强电磁脉冲产生的高温导致MOSFET热击穿

电压击穿：强电磁脉冲在MOSFET

电流注入：强电磁脉冲在MOSFET

损伤程度和影响范围

损伤程度：强电磁影响范围：损伤可影响因素：温度、

脉冲对MOSFET能导致MOSFET性湿度等环境因素也

的损伤程度取决于能下降，甚至失效会影响损伤程度和

脉冲的强度和持续影响范围

时间

损伤的检测和评估方法

检测方法：通过电子显微镜观察MOSFET

检测方法：测量MOSFET

评估方法：对比MOSFET

MOSFET

措施

硬件防护措施

增加滤波器：减少电磁脉冲对MOSFET的干扰

接地措施：确保MOSFET的接地良好，降低电磁脉冲的影响

屏蔽措施：使用金属屏蔽材料对MOSFET

电路设计优化

增加滤波器：在电路中加入滤波器，减少电磁脉冲的干扰

接地设计：合理设计电路的接地方式，降低电磁脉冲对MOSFET

电源设计：优化电源电路，提高电源的稳定性和可靠性

抗干扰和容错技术

容错技术：通过冗余设计、

故障检测与诊断等技术提高

MOSFE的可靠性。

抗干扰技术：采用屏蔽、滤

波、接地等措施降低电磁脉

冲对MOSFE的影响。

研究展望与未来发展方向

当前研究的不足之处