计算机组成原理-第三章-内部存储器.ppt

浮点运算与浮点运算器浮点加减运算的四步骤是什么？浮点加减运算对阶向大的阶看齐还是向小的阶看齐？浮点规格化数的特点是什么？请简述浮点加减运算尾数规格化方法。（分溢出与不溢出，不溢出时分原码与补码的情况）浮点乘除运算的四步骤是什么？浮点运算流水线－思想第三章内部存储器存储器的分类、分级结构与主存的技术指标SRAM、DRAM、EPROM、闪速存储器的结构、工作原理及扩充容量的方法并行存储器cache存储器3.1存储器概述-分类、分级、技术指标一、存储器分类1.按存储介质分：半导体、磁2.按存取方式分：随机、顺序、半顺序3.按读写功能分：ROM、RAM（半）4.按信息的可保存性分：暂、永久5.按在计算机系统中的作用分：主、辅、高速缓冲、控存二、存储系统的分级结构三、主存储器的技术指标1.存储容量：位（存储元）、字节、字K、M、G、T2.存取时间：从启动一次存储器操作到完成该操作时间。3.存储周期：连续启动两次读写操作所需间隔的最小时间。4.存储器带宽：单位时间内所存取的信息量3.2静态随机读写SRAM广泛用MOS半导体静态SRAM动态DRAM1.静态基本存储元双稳态触发器X和Y地址译码MOS管2.基本静态存储元阵列3.SRAM存储器芯片实例－21142114中的双译码结构4.存储器的读、写周期

(2114读周期）SRAM存储器小结基本存储元由存储元构成一定容量的存储器实例2114（1K＊4）存储器的读写周期请读P683.2.2复习请按距CPU由近及远的顺序说说存储体系的组成。对同一存储器，存取时间与存储周期哪一个时间长？存储器的带宽如何定义？SRAM的存储元是（）触发器，在触发器外围要有能控制（）的开关电路。2114是一个（）容量的SRAM芯片。构成SRAM芯片需哪几部分电路？存储芯片的CS信号是做什么用的？向存储器写入数据应有哪三个步骤？从存储器读出数据应有哪二个步骤？3.3DRAM存储器1.单管存储元写1，写0，读出同时要刷新2.DRAM存储芯片实例(2116)16K＊1RAS和CAS的作用3.读写周期、刷新周期读写周期：读P72，找与SRAM周期的不同DRAM的刷新方式：集中式、分散式刷新周期(p72,看概念)【例1】说明1M×1位DRAM片子可采用的刷新方法，刷新周期定为8ms前提假设：阵列为512行，2048列行地址为A0—A8。选中一个，这一行上的2048个存储元同时进行刷新，即在8ms内进行512个周期的刷新。刷新方式可采用：在8ms中进行512次刷新操作的集中刷新方式或按8ms÷512＝15.5μs刷新一次的分散刷新方式。4.存储器容量的扩充存储器与CPU连接位扩展：加大字长，不增加字数例：8片8K＊1的芯片组成8K＊8的存储器地址线、控制线并联，片选可直接接地；数据线每片一根字扩展法：字长不变，字数变多4片16K＊8组成64K＊8字位同时扩展复习DRAMDRAM与SRAM的不同点有哪些？（优、缺）DRAM的刷新有哪二种方式？如果一DRAM刷新周期为16ms，其内部阵列有2048行，采用分散式刷新，其刷新间隔为多少？某DRAM(SRAM)芯片，存储容量为256K*16位，如果没有复用的引脚，该芯片的地址线和数据线数目各为多少？某DRAM(SRAM)芯片，存储容量为1M*16位，除地址线和数据线外，还有读线、写线、片选、电源线、地线。如果没有复用的引脚，该芯片引脚数目为多少？存储模块条5.高级的DRAM结构(3)SDRAM-同步动态存储器可以利用总线时钟内部四体交叉例4：每片CDRAM为1M＊4位，8片则构成1M＊32位（4MB）的存储块，构成示意6.DRAM主存读/写的正确性校验小结（3.3）纠正器存储器比较器FF输入数据m输出数据出错信号k奇偶较验汉明纠错码表3.2纠错能力与信息冗余的关系**你知道什么类型的存储器?CPU寄存器cache主存磁盘（有cache）磁带、光盘对存储系统的要求是：容量、速度、成本……内存？外存？存储元阵列地址译码器输入输出、缓冲等控制A0-A5R/WI/O0-I/O4存储器的功能？需要有哪些引脚？地址线数据线控制线内部有多少根地址线？1K*4位4位……4位4位4位列9164行64行＊64列阵列行译码列译码2114地址线（10）数据线（4）CSWE(0,1)VccGND1K*4位(芯