第二章晶体生长的基本规律.pptVIP

人工晶体

ArtificialCrystal吉林大学材料科学与工程学院2011.9.15第二章晶体的生长基本规律1.概述2.晶体生长的途径3.晶体的发生4.晶体生长过程和形态5.晶体生长的理论模型6.生长锥7.几何淘汰律8.面角守恒定律9影响晶体生长的外部因素1.概述晶体有着自己的发生、成长和变化的历史。了解和研究晶体发生和成长的规律是认识晶体的一个重要途径，也是人工合成晶体的基本前提。无论天然的还是人工晶体，其生长过程，就是物质从其他相转变为结晶相的过程。实际上，也就是质点从不规则排列→有规则排列，从而形成格子状构造的过程。在此转变过程中，质点的堆积方式是遵循一定的规律的，这个规律就是空间格子规律。晶体的几何多面体外形便是这一规律导致的结果。●晶体生长过程中所遵循的规律，本质上是晶体本身内部结构上的规律性所决定的。●但另一方面，它不可避免地要受到生长过程中外界条件的影响，结果导致形成非理想的晶体。●除了晶体外形受到影响，其内部结构质点的排列也要发生一定的改变，形成所谓的结构缺陷。实际晶体外形=成分+结构+环境(决定晶体实际外形的三要素)对于同种晶体而言，其外形虽可千差万别，但对应晶面的夹角则始终保持不变