一维PSD位移测量设计光电检测课设.pdf

摘要2

一、引言3

二、根本原理3

三、结构与测量原理3

四、位移测量设计4

1、一维PSD位移测量原理5

2、一维PSD转换电路与分析6

五、结论分析7

参考文献8

1/10

word

摘要摘要

半导体光电位置传感器〔即PSD〕是一种基于横向光电效应的新型半导体光电位

置敏感传感器。它除了具有光电二极管阵列和CCD的定位性能外，还具有灵敏

度高、分辨率高、响应速度快、电路配置简单等特点，因而被人们所重视。PSD

的开展趋势是高分辨率、高线性度、快响应、与信号采集处理等多功能集成。

本文基于一维PSD位置传感器非接触性测量物体位移，实现对PSD的简单应用。

关键词：半导体横向光电效应PSD位置传感器转换电路

一维PSD非接触性位移测量

2/10

word

一、引言一、引言一、引言

半导体光电位置传感器(即PSD：PositionSensitiveDevice)是一种光电测

距器件。它除了具有光电二极管阵列和CCD的定位性歪，还具有灵敏度高，分

辨率高，响应速度快与信号采集处理等多功能集成。PSD基于非均匀半导体横

向光电效应，达到器件对入射光或粒子位置敏感。PSD由四局部组成：PSD传

感器、电子处理元件、半导体激光源、支架〔固定PSD光传感器与激光光源相

对位置〕。PSD的主要特点是位置分辨率高、响应速度快、光谱响应X围宽、可

靠性高，处理电路简单、光敏面内无盲区，可同时检测位置的光强,测量结果与

光斑尺寸和形状无关。由于其具有特有的性能，因而能获得目标位置连续变化

的信号，在位置、位移、距离、角度与其相关量的检测中获得越来越广泛的应

用。在PSD光电实验中，根据读出电压值的变化，可以知道物体的运动变化，

从而达到了解光电传感器的构造原理和电子线路的设计与实践、运算放大器的

应用。由于其具有精度高的优点，在测量物体时，即使测量物体位置有微小的

变化，电压值都会有很明显的变化。

二、根本原理

PSD是一种基于非均匀半导体横向光电效应的、对入射光或粒子位置敏感的

光电器件。PSD的光敏面能将光点位置转化为电信号，当一束光射到PSD的光

敏面上时，在同一面上的不同电极之间将会有电流流过，这种电压或电流随着光

点的位置变化的现象时半导体的横向光电效应。因此利用PSD的PN结上的横

向光电效应可以检测入射光点的照射位置。它不想传统的硅光电探测器那样，只

能作为光电转换，光电耦合，光接收和光强测量等方面的应用，而能直接用来测

量位置、距离、高度、角度、和运动轨迹。

它的P－N结结构、工作状态、光电转换原理等与普通光敏二极管类似，但

它的工作原理与普通光敏二极管完全不同。普通光敏二极管是基于P-N结或肖

特基结的纵向光电效应，而PSD是基于P-N结或肖特基结的横向光电效应，事

实上是纵向光电效应和横向光电效应的综合。普通光敏二极管通过光电流的大小

反响入射光的强弱，是光电转换器件和控制器件。而位置敏感探测器〔PSD〕不

仅是光电转换器，更重要的是光电流分配器件，通过合理设置分流层和收集电流

的电极，根据各电极上收集到的电流信号的比例确定入射光的位置。从这个意义

上说，PSD是普通光敏二极管进一步细化的产品。基于PINPIN二极管型的PSD相

当于在P-N结构的P层与N层之间插入高阻本征层〔I层〕，当加不太大的反偏

电压时I层就己全部耗尽，于是势垒宽度大大增加。而在势垒区内有接近I的量

子效率和饱和载流子运动，且势垒区宽度可减小势垒电容。因此，I层的引入可

以显著地缩短器件的响应时间。

PSD可分为一维PSD和二