半导体器件物理-全套PPT课件..pptxVIP

半导体器件物理;微电子技术专业;第1章半导体特性;;1.固体分类;简单立方;在器件和集成电路制造中使用的一些重要的半导体具有属于四面体的金刚石或闪锌矿结构。;晶列的取向称为晶向，为表示晶向，从一个格点O沿某个晶向到另一格点P作位移矢量R，则

R=l1a+l2b+l3c

若l1：l2：l3不是互质的，则要通过l1：l2：l3=m：n：p化为互质整数，mnp

就称为晶列指数，写作[mnp]，用来表示某个晶向。;;【例】如图的平面，试求其密勒指数;;Y;X;1.2半导体中的电子状态;1.2半导体中的电子状态;由于晶体中各原子靠得很近，引起各原子外层价电子的运动区域相互重叠起来，使价电子的运动区域在晶格中连成一片。电子在这一瞬间可以在甲原子周围运动，而下一个瞬间又可通过交叠的运动区域转到乙原子周围运动，并以同样的方式继续转移，不断地从一个原子跑到另一个原子，从而能够在整个晶体中运动。这就是电子的共有化运动。;1.2半导体中的电子状态

2.能带的形成

由于一块晶体中的电子运动状态不能相同，因此为了容纳原来属于N个单个原子的所有价电子，原来分属于N个单个原子的相同的价电子能级必须分裂成属于整个晶体的N个稍有差别的能级，这些能级互相靠得很近，分布在一定的能量区域，通常就把这N个互相靠得很近的能级所占据的能量区域称为能带。;1.2半导体中的电子状态

关于能带的名词：

1.允带――允许电子填充的能带，称为允带。

2.禁带――禁止电子填充的能量区间，称为禁带。

3.空带――没有电子填充的能带，称为空带。

4.满带――完全被电子填满的能带，称为满带。

5.价带――价电子对应能级分裂而形成的能带，称为价带。

6.导带――导带是位于价带之上第一个能带。在外电场作用下，该能带里的电子能从外电场吸收能量，从而形成电流，故称为导带。;;1.2.2本征半导体的导电机制

半导体材料大部分是共价键晶体。如果共价键中的电子获得足够的能量，它就可以摆脱共价键的束缚，成为可以自由运动的电子，这时在原来的共价键上就留下了一个空位。因为邻键上的电子随时可以跳过来填补这个空位，从而使空位转移到邻键上去，所以，空位也是??以移动的。这种可以自由移动的空位被称为空穴。半导体就是靠着电子和空穴的移动来导电的。因此，电子和空穴被统称为载流子。;导带;1.3杂质与缺陷;一个Ⅴ族杂质原子可以向半导体硅提供一个自由电子而本身成为一个带正电的离子，这种杂质称为施主杂质。当硅中掺有施主杂质时，主要靠施主提供的电子导电，我们把主要依靠电子导电的半导体称为N型半导体。N型半导体中的电子称为多数载流子，简称多子；而空穴称为少子。;一个Ⅲ族杂质原子可以向半导体硅提供一个空穴，而本身接受一个电子成为带负电的离子，通常把这种杂质叫受主杂质。当硅中掺有受主杂质时，主要靠受主提供的空穴导电，我们把主要依靠空穴导电的半导体称为P型半导体。P型半导体中的空穴是多子，电子是少子。;能带图表示电离过程;如果在半导体材料中，同时存在着施主和受主杂质，他们之间具有相互抵消的作用，称为杂质的补偿作用。在能带和杂质能级的基础上，这个问题很容易理解。从根本上来说，补偿的现象是因为导带和施主能级的能量比价带和受主能级高得多。所以，在导带或施主能级上的电子总是要首先去填充那些空的受主或价带能级。;N外延层;弗伦克尔缺陷;2.线缺陷;1.4热平衡载流子;重掺杂P型 轻掺杂P型 本征半导体 轻掺杂N型 重掺杂N型

费米能级就是用来表达电子填充能带水平高低的一个概念。费米能级反映了半导体的掺杂类型，还能反映掺杂浓度的高低。;2.费米分布函数;3.载流子浓度;3、本征载流子浓度;2.P型半导体;1.5非平衡载流子

1.5.1非平衡载流子的注入;1.5.2非平衡载流子的复合;非平衡载流子的寿命;直接复合就是单位体积中每个电子在单位时间里都有一定的几率和空穴相遇而复合。从能带角度讲，就是导带电子直接落入价带与空穴复合，同时还存在着上述过程的逆过程，即价带电子也有一定的几率跃迁到导带中去，产生一对电子和空穴。;2.间接复合;1.5非平衡载流子

3.表面复合

晶格结构在表面出现的不连续性在禁带中引入了大量的能量状态，这些能量状态称为表面态；除表面态外，还存在着由于紧贴表面的层内的吸附离子、分子或机械损伤等所造成的其他缺陷。它们在禁带形成复合中心能级，大大增加了表面区域的载流子的复合率。

可见，非平衡载流子的寿命值，不仅与材料种类有关，而且与杂质原子的出现有关，特别是锗、硅中的深能级杂质，能形成复合中心，使寿命降低。同时，半导体的表面状态对寿命也有显著的影响。另外，晶体中位错等???陷，也能形成复合中心能级。因而严重地影响少数载流子的寿命。在制造器件的过程中，由于高温处理，在材料内部增加新的缺陷，往