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1物理与电子学院第四章化合物半导体材料贾彩虹

2.11.09考试题请画出Si(100)、(110)、(111)面原子排列图，并计算原子面密度。

3化合物半导体材料4.2II－VI族化合物半导体材料4.1III－V族化合物半导体材料

44.1常见的III-V化合物半导体化合物晶体结构带隙（eV）ni（cm-3）μn（cm2/Vs）μp（cm2/Vs）GaAs闪锌矿1.421.3×1068500320GaP闪锌矿2aN纤锌矿3.490010InAs闪锌矿0.358.1×10143300450InP闪锌矿1.356.9×1075400150InN纤锌矿0.74400AlN纤锌矿6.2430014

5III-V族化合物半导体性质（1）带隙较大－－带隙不小于1.1eV（2）直接跃迁能带构造－－光电转换效率高（3）电子迁移率高－－高频、高速器件（4）带隙随温度变化III-V族化合物半导体性质

6带隙和温度的关系计算：GaAs300K和400K下的带隙?查表α=5.405*10-4eV/K，β=204，Eg(0)=1.519eV.

7晶体构造金刚石构造闪锌矿构造纤锌矿构造

8化学键共价键－－没有极性离子键－－有极性两者电负性相差越大，离子键成分越大，极性越强。构成元素的原子序数之和越大，材料熔点越低，带隙越小III-V族化合物的化学键：共价键和离子键共存

9III-V族化合物半导体4.1.1GaAs4.1.2InP4.1.3GaN

104.1.1GaAS晶体构造能带构造杂质和缺陷物理性质化学性质电学性质光学性质

11GaAs晶体构造闪锌矿构造，由Ga原子构成的面心立方构造和由As原子构成的面心立方构造沿对角线方向移动1/4间距套构而成。

12[111]为极化轴，(111)面是Ga面，(111)面是As面，两个面的物理化学性质大不相似。

13极性的影响（1）解理面－－原子面密度最高、面间距最大不是{111}而是{110}；Si(111)是自然解理面（2）腐蚀速度－－B面（V族）易腐蚀V族原子面由于负电性大，化学活性强（3）外延层质量－－B面质量好V族原子面由于负电性大，价键畸变小（4）晶片加工－－不对称性损伤层厚度，表面完整性等方面存在不对称性

14GaAs能带构造直接带隙构造双能谷?转移电子效应双重简并带隙为1.42eV1.42eV0.31eV0.48eV0.34eV第二自旋轨道

15GaAs单晶中的杂质GaAs晶体纯度比Si低，具有多种杂质。杂质对GaAs性能的影响取决于其性质和在晶体中的位置。B、Al、In等III族元素取代Ga，P、Sb等V族元素取代As，不影响电学性能。若过量会产生沉淀形成位错，恶化器件性能。S、Se、Te等VI族元素一般取代As，浅施主。Zn、Be、Mg、Cd、Hg等II族元素，一般取代Ga，浅受主。C、Si、Ge、Sn、Pb等IV族元素，可取代Ga、As或同步取代，两性杂质。Cu、Au、Fe、Cr等过渡金属杂质，深能级。

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17GaAs单晶中的缺陷点缺陷：空位、间隙、反位，及复合缺陷。位错：非辐射复合中心，减少少子寿命。位错密度104-105cm-2.基本性质决定难以生长无位错单晶。来源：籽晶位错、晶体生长中的热应力、晶体加工过程的机械应力等。缺陷的H钝化：钝化位错和杂质的悬挂键。在250-400oC的H等离子体气氛中进行，但钝化过程中轻易引起表面损伤和粗糙，甚至导致As的外扩散，形成As的表面损耗层，也会使材料性能减少。

18GaAs物理性质GaAs晶体呈暗灰色，有金属光泽晶格参数与化学计量比有关

19GaAs化学性质GaAs室温下不溶于盐酸，可与浓硝酸反应，易溶于王水室温下，GaAs在水蒸气和氧气中稳定加热到6000C开始氧化，加热到800oC以上开始离解化学性质

20GaAs电学性质电子的速度有效质量越低，电子速度越快GaAs中电子有效质量为自由电子的1/15，是硅电子的1/3用GaAs制备的晶体管开关速度比硅的快3-4倍高频器件，军事上应用

21本征载流子浓度电阻率？

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24GaAs光学性质直接带隙构造折射率与温度、波长有关：nT、λ发光效率比其他半导体材料要高得多，可以制备发光二极管，光电器件和半导体激光器等

25GaAs优缺陷

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27GaAs的应用

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304.1.2InP19，蒂尔合成出InP，是最早制备出来的III-V族化合物；InP单晶体呈暗灰色，有金属光泽室温下与空气中稳定，360oC下开始离解溶于王水、溴甲醇、室温可与盐酸反应，与碱反应非常缓慢。

31InP特性高电场下，电子峰值漂移速度高于GaAs中的电子，是制备超高速