3-1_第三章 薄膜的物理制备方法（1）.pptxVIP

薄膜材料与薄膜技术

李金华

第三章薄膜的物理制备方法(1)

蒸发

电阻加热

感应加热

电子束加热

激光加热

直流溅射

射频溅射

磁控溅射

离子束溅射

直流二极型离子镀

射频放电离子镀

等离子体离子镀

薄膜的物理制备技术

物理气相沉积

(PVD)

溅射沉积

真空蒸发

离子镀

1.真空蒸发原理

2.蒸发源的蒸发特性及薄厚分布

3.蒸发源的类型

4.合金及化合物的蒸发

5.膜厚和淀积速率的测量与监控

本章主要内容

基板加热器

基板

薄膜

蒸气流

排气系统

蒸发物质

一加热器

钟罩

真空蒸发原理

图2-1真空蒸发镀膜原理示意图

蒸发面

真空室

的图形；

薄膜生长机理比较单纯。

缺点：不容易获得结晶结构的薄膜，薄膜附着力较小，工艺重复性差。

设备比较简单、操作容易；

薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制；

成膜速度快、效率高，采用掩模可以获得清晰

真空蒸发原理

真空蒸发的特点与蒸发过程

优点：

真空蒸发原理

蒸发度膜的三个基本过程：

加热蒸发

气相原子或分子的输运(源-基距)

蒸发原子或分子在基片表面的淀积

饱和蒸气压

饱和蒸气压的概念

蒸发温度

物质在饱和蒸气压为10-2Torr时的温度，称为

该物质的蒸发温度。

H,为摩尔汽化热或蒸发热(J/mol);V,和V分别为气相和固相的摩尔体积(cm³