3-1_第三章 薄膜的物理制备方法（1）.pptx

薄膜材料与薄膜技术

李金华

第三章薄膜的物理制备方法(1)

蒸发

电阻加热

感应加热

电子束加热

激光加热

直流溅射

射频溅射

磁控溅射

离子束溅射

直流二极型离子镀

射频放电离子镀

等离子体离子镀

薄膜的物理制备技术

物理气相沉积

(PVD)

溅射沉积

真空蒸发

离子镀

1.真空蒸发原理

2.蒸发源的蒸发特性及薄厚分布

3.蒸发源的类型

4.合金及化合物的蒸发

5.膜厚和淀积速率的测量与监控

本章主要内容

基板加热器

基板

薄膜

蒸气流

排气系统

蒸发物质

一加热器

钟罩

真空蒸发原理

图2-1真空蒸发镀膜原理示意图

蒸发面

真空室

的图形；

薄膜生长机理比较单纯。

缺点：不容易获得结晶结构的薄膜，薄膜附着力较小，工艺重复性差。

设备比较简单、操作容易；

薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制；

成膜速度快、效率高，采用掩模可以获得清晰

真空蒸发原理

真空蒸发的特点与蒸发过程

优点：

真空蒸发原理

蒸发度膜的三个基本过程：

加热蒸发

气相原子或分子的输运(源-基距)

蒸发原子或分子在基片表面的淀积

饱和蒸气压

饱和蒸气压的概念

蒸发温度

物质在饱和蒸气压为10-2Torr时的温度，称为

该物质的蒸发温度。

H,为摩尔汽化热或蒸发热(J/mol);V,和V分别为气相和固相的摩尔体积(cm³);T为绝对温度(K)。

因为VgVs,假设低压气体符合理想气体状态方程，

V₈-V₂≈V₈

共-

则有

克拉伯龙-克劳修斯(Clapeylon-Clausius)方程：

饱和蒸气压与温度的关系曲线对于薄膜制作技术有重要意

义，它可以帮助我们合理选择蒸发材料和确定蒸发条件。

温度

(b)周期表1族元素的燕气压

温度

(e)周期表Ⅱ族元素的蒸气压

炼气压

题气压

蒸发速率

根据气体分子运动论，在气体压力为P时，单位

时间内碰撞单位面积器壁上的分子数量，即碰撞分子流量(通量或蒸发速率)J:

冷凝系数a

最大蒸发速率：

在蒸发温度以上进行蒸发时，蒸发源温度的微小变化

可以引起蒸发速率发生很大变化。

0)

r.gcm²sTon

蒸发速率随温度的变化率：

真空蒸发原理

质量蒸发速率：

蒸发分子的平均自由程与碰撞几率

蒸发分子平均自由程：

对基片的碰撞率：

物质

分子量

N,(cm-²·s-¹)

10-5(托)

10-²(托)

H:

2

1.4×101⁵

1.4×1018

Ar

40

3.2×1015

3.2×101

O₂

32

3.6×10¹5

3.6×1018

N₂

28

3.8×10¹⁵

3.8×1018

*T=300K,粘附系数a≈1

一般薄膜的淀积速率为每秒一个原子层，当残余气体

压强为10-5Torr时，气体分子和蒸发物质原子几乎按1:1的比例到达基板表面。

表2-2气体分子的碰撞次数

未受到残余气体碰撞的数目：

受到残余气体碰撞的几率：

碰撞几率：

f≈1.50IP

为保证镀膜质量，在要求f≤0.1时，源-基距l=25cm

时，必须P≤3×10³Pa。

由此可见，只有当1λ时，即平均自由程较源-基距

大得多的情况下，才能有效减少蒸发分子在输运过程中的碰撞。

在上述条件下，有

蒸发所需能量和离子能量

能量损失的种类

Q₁——蒸发材料蒸发时所需的热量

Q₂——蒸发源因辐射所损失的能量

Q₃——蒸发源因热传导而损失的能量

Q=Q+Q₂+Q₃

蒸发材料蒸发时所需的热量

名称

Q₁(kJ/g)

名称

Q(kJ/g)

Al

12.98

Cr

8.37

Ag

2.85

Zr

7.53

Au

2.01

Ta

4.60

Ba

1.34

Ti

10.47

Zn

2.09

Pb

1.00

Cd

10.47

Ni

7.95

Fe

79.53

Pt

3.14

Cu

5.86

Pd

4.02

不同物质在相同压强下所需的蒸发热是不同的；

蒸发热量Q值的80%以上是蒸发热L,而消耗掉的。

表2-3常用金属的蒸发热量(在P=IPa时)

热辐射损失的热量估计

热辐射损失与蒸发源形状、结构和材料有关。

Q₂=σ·a·T⁴

式中，σ斯迪芬-玻尔兹曼常数，α,为热辐系数，T为

蒸发温度。

热传导损失的热量

素：

蒸发源的蒸发特性

基板与蒸发源的几何形状

基板与蒸发源的相对位置

蒸发物质的蒸发量

1.蒸发原子或分子与残余气体分子之间不发生碰撞；

2.蒸发源附近的原子或分子之间不发生碰撞；

3.淀积到基片上的原子不发生再蒸发现象。

均匀膜层厚度是薄膜技术中