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高考理科综合化学选修3试题三

1、原子序数依次增大的四种元素A、B、C、D分别处于第一至第四周期，其中A原子核是一个质子；B原子核外电子有6种不同的运动状态，B与C可形成正四面体型分子，D原子外围电子排布为3d104s1.请回答下列问题：

(1)这四种元素中电负性最大的是(填元素符号)、第一电离能最小的是(填元素符号)；(2)C所在的主族元素气态氢化物中，沸点最低的是 （填化学式）；

B元素可形成多种单质，其中“只有一层原子厚”的物质，被公认为目前世上已知的最薄、最坚硬、传导电子速度最快的新型材料，该材料晶体结构如右图所示，其原子的杂化类型为 ；

D的醋酸盐晶体局部结构如右图，该晶体中含有的化学键是

（填选项序号）；

①极性键 ②非极性键 ③配位键 ④金属键

某学生所做的有关D元素的实验流程如下图：

请书写第⑤反应的离子方程式：

2、已知A、B、C、D、E、F均为前四周期元索.A元索的原子价电子排布为ns2np2，B元索的

最外层电子数是其电子层数的3倍，C元索原子的M电子层的P亚层中有3个未成对电子.D元素原子核外的M层中只有2对成对电子。B离子与E离子具有相同的电子层结构，可形成

EB、E

2 2

B型化合物.F元素位于元素周期表的ds区,其原子与E原子具有相同的最外层电子

2

数.请回答下面的问题：

根据以上信息推断：①B元素为

②F原子核外的价电子排布为 .

指出在元索周期表中：①D元素在 区；②E元素在 区.

当n=2时,A与氢元索形成的相对分子质量为加的分子应属于 分子（填“极性或“非极性”），该分子中有 个?键 个?键.

当n＝3时，A与B形成的晶体属于 晶体.A单质的晶体结构中，A原子采用 杂化,A原子数与A-A键数之比为 .

1

（5） DCl3分子中，中心原子D有 对孤对电子,用价层电子对互斥模型推测:DCl3分子的空间构型为 形.

元素F的某种氧化物的晶体晶胞结构如右图所示,其中实心球表示F原子,则该氧化物的化学式为 .

A—F六种元素中，有一种元素的部分电离能数据如下，它可能是 (写元索符号）

（其中I1-I7分别表示该元索的第一电离能——第七电离能).

电离能

I1

I2

I3

I4

I5

I6

I7

(KJ.mol-1)

14.5

29.6

47.4

77.5

97.9

551.9

666.8

3、Ⅰ．砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长．耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：

下列说法正确的是 （填序号）

砷化镓晶胞结构与NaCl相同C．电负性AsGa

第一电离能AsGaD．原子半径AsGa

砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为

；

AsH3空间形状为 ；已知(CH3)3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为 ；

Ⅱ．金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。

请解释金属铜能导电的原因 ，

Cu2+的核外电子排布式为 。

在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有 和 。

4、已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E＜F。其中A原子核外有三个未成对电子；化合物B2E的晶体为离子晶体，E原子核外的M层中只有两对成对电子；C元素是地壳中含量最高的金属元素；D单质的晶体类型在同周期的

单质中没有相同的；F原子核外最外层电子数与B相同，其余各层电子均充满。请根据以上信息，回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示）

（1）A的简单氢化物分子中其中心原子采取杂化，E的最高价氧化物分子的空间构型是。

（2）B的氯化物的熔点比D的氯化物的熔点（填高或低），理由是 。

2

A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为 。(用元素符号表示)

A、F形成某种化合物的晶胞结构如右图所示（其中A显-3价），则其化学式为 ；

（5）F的核外电子排布式是 ，A、C形成的化合物具有

高沸点和高硬度，是一种新型无机非金属材料，则其化学式为 。

5、三氟化氮是一种无色、无味、无毒且不可燃的气体，在半导体加工，太阳能电池制造和液晶显示器制造中得到广泛应用。NF3是一种三角锥型分子，键角102°，沸点－129℃；可在铜的催化作用下由