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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN1561531A
(43)申请公布日2005.01.05
(21)申请号C5
(22)申请日2002.06.18
(71)申请人应用材料有限公司
地址美国加利福尼亚州
(72)发明人K·S·劳Q·尚T·竹原T·元W·R·哈什巴杰D·梅丹
(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人赵蓉民
(51)Int.CI
H01J17/04
H01J17/49
H01J9/02
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
具有低K介质层的等离子显示板
(57)摘要
一种包括低k介质层的等离子显示
板。在一个实施例中，该介质层包括掺杂
氟的氧化硅层，例如SiOF层。在另一个实
施例中，该介质层包括层。在某些实施例
中，在该介质层上淀积覆盖层例如SiN或
者SiON。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种等离子显示板，包括：
其上淀积有第一组平行电极的第一板；
其上淀积有第二组平行电极的第二板，所述第二组平行电极相对于所述第一组平行
电极以直角定向；
所述第一和第二板彼此平行定向，以便形成用放电气体填充的空间；和
用低k介质层覆盖所述各组平行电极中的至少一组。
2.根据权利要求1的等离子显示板，其中所述低k介质层是掺杂卤素的氧化硅层。
3.根据权利要求2的等离子显示板，其中所述掺杂卤素的氧化硅层是掺杂氟的氧化
硅层。
4.根据权利要求3的等离子显示板，其中所述掺杂氟的氧化硅层是用生产气体形成
的，所述生产气体由一种混合物构成，该混合物的成份选自这样一组来源：其包括
氟源、氧源和硅源。
5.根据权利要求3的等离子显示板，其中所述掺杂氟的氧化硅层是SiOF层。
6.根据权利要求5的等离子显示板，其中所述SiOF层具有大约在10至15微米之
间的厚度。
7.根据权利要求1的等离子显示板，其中所述低k介质层具有小于大约4.5的总介
电常数。
8.根据权利要求1的等离子显示板，其中所述低k介质层是用生产气体形成的，所
述生产气体包括硅源，该硅源选自这样一组来源：其包括三甲基硅烷和甲基硅烷及
其混合物。
9.根据权利要求8的等离子显示板，其中所述介质层包括
BlackDiamondsupTM/sup。
10.根据权利要求8的等离子显不板，其中所述介质层具有大约在10至15微米之
间的厚度。
11.根据权利要求9的等离子显示板，其中所述介质层具有小于大约3.5的总介电常
数。
12.根据权利要求1的等离子显示板，进一步包括淀积在所述低k介质层上的覆盖
层。
13.根据权利要求12的等离子显示板，其中所述覆盖层是用硅源和氮源形成的。
14.根据权利要求13的等离子显示板，其中所述覆盖层包含SiN。
15.根据权利要求13的等离子显示板，其中所述覆盖层具有大约10至100纳米的
厚度。
16.根据权利要求13的等离子显示板，其中所述覆盖层是额外地用氧源形成的。
17.根据权利要求16的等离子显示板，其中所述覆盖层包含SiON。
18.根据权利要求16的等离子显示板，其中所述覆盖层具有大约10至1000纳米的
厚度。
19.一种制造等离子显示板的方法，所述方法包括以下步骤：
在处理室中使生产气体流过具有平行电极的玻璃衬底；
给该室施加射频能量以便产生等离子；和
在所述玻璃衬底上淀积低k介质层，其中所述介质层具有低k值。
20.根据权利要求19的方法，其中所述使生产气体流动包括使至少一个氟源、至少
一个硅源和至少一个氧源流动。
21.根据权利要求20的方法，其中所述至少一个氟源选自这样一组氟
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