半导体器件及其形成方法、封装结构.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102769002A

(43)申请公布日2012.11.07

(21)申请号CN201110112565.5

(22)申请日2011.04.30

(71)申请人中国科学院微电子研究所

地址100029北京市朝阳区北土城西路3号

(72)发明人钟汇才梁擎擎闫江赵超

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司

代理人骆苏华

(51)Int.CI

H01L23/46

H01L29/78

H01L21/336

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

半导体器件及其形成方法、封装结

构

(57)摘要

一种半导体器件及其形成方法、封

装结构，所述半导体器件包括：半导体衬

底，所述半导体衬底中形成有MOS场效应

晶体管；介质层，位于所述半导体衬底上

并覆盖所述MOS场效应管晶体管，所述介

质层中形成有多个互连结构；散热通路，

嵌于所述互连结构之间的介质层中，以供

液体或气体在其中流通，所述介质层的表

面暴露所述散热通路的开口。本发明有利

于提高散热效率，避免芯片过热。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中形成有MOS场效应晶体管；

介质层，位于所述半导体衬底上并覆盖所述MOS场效应晶体管，所述介

质层中形成有多个互连结构；

散热通路，嵌于所述互连结构之间的介质层中，以供液体或气体在其中流

通，所述介质层的表面暴露所述散热通路的开口。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述散热通路包括嵌于

所述互连结构之间的介质层中的多个相互连通的沟槽。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述散热通路还包括位

于所述沟槽中的散热微管，所述散热微管供液体或气体在其中流通。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述散热微管的材料为

高分子聚合物、绝缘材料或金属材料纳米管。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述散热微管外侧的沟

槽中填充有介质材料。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的开口处、散

热微管的外侧填充有介质材料，所述沟槽的底部、散热微管的外侧具有空隙。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述介质

层为叠层结构，其中每一层内都形成有互连结构。

8.一种封装结构，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的半导体

器件和包围所述半导体器件的封装外壳，还包括位于所述封装外壳外侧的循

环泵，所述封装外壳具有与所述散热通路相通的第一开口和第

二开口，所述循环泵驱动液体或气体通过所述第一开口、散热

通路和第二开口循环流通。

9.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有MOS场效应晶体管；

在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述MOS场效应晶体

管，所述介质层中形成有多个互连结构；

对所述互连结构之间的介质层进行刻蚀，形成散热通路，以供液体或气体

在其中流通。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述对所述

互连结构之间的介质层进行刻蚀，形成散热通路包括：对所述互连结

构之间的介质层进行各向异性刻蚀及各向同性刻蚀，形成多个

相互连通的沟槽。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述