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第六讲pn结
6.4pn结击穿
1.pn结击穿现象
对pn结施加反向偏压增大到某一数值时，反向
电流密度突然开始迅速增大的现象
——pn结击穿。
击穿电压
雪崩击穿
pn结击穿隧道击穿
热击穿
击穿现象中电流增大的基本原因：载流子数目的增加。
2.pn结击穿机构
（1）雪崩击穿p区扩散——电子电流
流过pn结的反向电流
n区扩散——空穴电流
12
2
2
21电场强度足够强
雪崩击穿的条件
倍增效应势垒区的宽度足够宽
势垒区单位时间内产生大量载流子
正的温度系数
——雪崩击穿
增大了反向电流
本质：碰撞电离
（2）隧道击穿
隧道效应
强电场作用下势垒区中性原子的价电子直接变为自由电子
大量电子从价带穿过禁带而进入到导带
隧道（齐纳）击穿
负的温度系数本质：场致电离
在强电场作用下强行促使pn结内原子
的价电子从共价键中拉出来，形成电
子一空穴对，从而产生大量的载流子。
隧道击穿机理电场强度足够大
隧道效应条件
隧道长度足够短
AB
△xqE△x
令E0，
有E(x)qEx
q(VV)E
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