3 陶瓷材料的电学性能.pptx

SchoolofMaterialsScienceandEngineering,

HSecnhoaonloPfMoaltyertieaclshSncieicnceUanndivEengrisnieteyri,ngC,HheinnaanPolytechnicUniversity;SchoolofMaterialsScienceandEngineering,HenanPolytechnicUniversity;前言;第一节导电性能;电阻率在数值上等于单位长度和电位面积上导电体的电阻值

,可写为

由于电阻率只与材料本性有关,而与导体的几何尺寸无关,因此评定导电性的基本参数是ρ而不是R.

电阻的单位为Ω(欧),电阻率的单位Ω·m(欧·米)

在研究材料的导电性时,还常用电导率σ,电导率σ为电阻率的倒数,即

电导率的单位为S/m(西/米).;ρ愈小,σ愈大,材料导电性能就越好.

绝缘体：ρ1010Ω·m

导体：ρ10-2Ω·m

半导体：10-2ρ1010Ω·m;（1）金属及半导体的导电机理

①经典电子理论

在金属晶体中,离子构成晶格点阵,并形成均匀的电场,价电子是完全自由的(自由电子)

电子的运动遵循经典力学气体分子的运动规律

无外加电场时,电子向各个方向运动的几率相同,对外不表现电流

√有外加电场时,自由电子沿电场方向作加速运动,从而形成了电流

√自由电子定向运动过程中,不断与正离子发生碰撞,使电子运动受阻,从而产生电阻;设电子两次碰撞之间的平均距离(自由程)为l,电子平均运动速度为,单位体积内的自由电子数为n,则电导率为;自由电子数量越多导电性越好,事实是二、三价金属的价电子虽然比一价金属的多,但导电性反而比一价金属还差.

按照气体动力学的关系,ρ应该与温度T的平方根成正比,但实验结果ρ与T成正比.

不能解释超导现象的产生;②量子自由电子理论;外加电场对金属中自由电子的能量状态的影响;由于能量的变化,使部分能量较高的电子转向电场正向运动的能级,从而使正反向运动的电子数不等,使金属导电.也就是说,不是所有的自由电子都参与了导电,而是只有处于较高能态的自由电子参与导电.;不同材料的nef不同。一价金属的nef比二、三价金属多，因此导电性好

量子自由电子理论较好地解释了金属导电的本质,但它假定金属中的离子所产生的势场是均匀的,显然这与实际情况有一定差异.;③能带理论;电子不能具有的能级所组成的能带称为禁带,可以具有的能级所组成的能带称为允带.允??与禁带相互交替,形成了材料的能带结构.

能带结构与价电子数、禁带的宽窄以及允带的空能级等因素有关

空能级是指允带中未被填满电子的能级.

具有空能级允带中的电子是自由的,在外电场的作用下参与导电,这样的允带称为导带.

一个允带所有的能级都被电子填满,这种能带称为满带.;如果允带内的能级未被填满,允带之间没有禁带或允带相互重叠,在外电场的作用下电子很容易从一个能级转到另一个能级上去而产生电流.有这种能带结构的材料就是导体.;若一个满带上面相邻的是一个较宽的禁带,由于满带中的电子没有活动的余地,即使禁带上面的能带完全是空的,在外电场的作用下电子也很难跳过禁带,电子不能趋于一个择优方向运动,即不能产生电流.有这种能带结构的材料是绝缘体.;半导体的能带结构与绝缘体相同,所不同的是它的禁带比较窄,电子跳过禁带不像绝缘体那么困难.如果存在外界作用(如热、光辐射等),则价带中的电子就有能量可能跃迁到导带中去,在价带中同时出现空穴.在外电场的作用下,电子和空穴会定向移动而产生电流.;空带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在的导电方式称为本征电导.本征电导的特点是参加导电的电子和空穴的浓度相等.具有本征电导特性的半导体称为本征半导体(完全纯净的、结构完整的半导体晶体).;在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。称为杂质半导体.

n型半导体P型半导体;N型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）;p型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）;(2)陶瓷材料的导电机理;①离子晶体的导电机理;√第二类离子电导是结合力比较弱的离子运动造成的，这些离子主要是杂质离子，因而称为杂质电导。

√杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类.因为杂质离子的存在,不仅增加电流载体数量，而且使点阵发生畸变,杂质离子离解活化能变小。在低温下，离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定。

√对于材料中存在的多种载流子的情况,材料的总电导率可以看成是各种电导率的总和。;(3)超导电性;超导体的两个基本特性;(2)完全抗磁性(迈斯纳效应);超导体三个重要性能指标;第二类