微电子计算例题.pdf

1.基本的晶体结构

p（a）简立方1个原子

pa）简立方1个原子

（

p（b）体心立方2个原子

pb）体心立方个原子

（2

p（c）面心立方4个原子

p（）面心立方个原子

c4

在是1\一共有50\于星期一

例题1：

计算简立方、体心立方和面立方单晶的原子体密

度，晶格常数为

说明：以上计算的原子体密度代表了大多数材

料的密度数量级

在是2\一共有50\于星期一

例题2：

计算硅原子的体密度，其晶格常数为

在是3\一共有50\于星期一

特定原子面密度

例题3：

说明：不同晶面的面密度是不同的

在是4\一共有50\于星期一

2.波粒二象性

例题4：

计算对应某一粒子波长的光子能量

已知波长

已知波长

能量为

能量为

换算为更为常见的电子伏形式

换算为更为常见的电子伏形式

在是5\一共有50\于星期一

例题5：

计算一个粒子的德布罗意波长

已知电子的运动速度为

已知电子的运动速度为

电子动量为

电子动量为

德布罗意波长

德布罗意波长

说明：典型电子的德布罗意波长的数量级

在是6\一共有50\于星期一

3.能级

例题6：

计算无限深势阱中电子的前三能级，势阱的宽度为

计算无限深势阱中电子的前三能级，势阱的宽度为

说明：从计算中可以看到束缚态电子能量数量级

在是7\一共有50\于星期一

4.费米能级

例题7：

费米能级被电子占据的概率

说明：温度高于绝对零度时，费米能级量子态被电

子占据的概率为50%.

在是8\一共有50\于星期一

例题8：

令T=300K，试计算比费米能级高3kT的能级被

电子占据的概率

说明：比费米能级高的能量中，量子态被电子占据的

概率远小于1.

在是9\一共有50\于星期一

例题9：

令T=300K，费米能级比导带低0.2eV。求

(a)Ec处电子占据概率;

(b)Ec+kT处电子占据概率.

在是10\一共有50\于星期一

5.载流子浓度

本征半导体中

有效状态密度

电子和空穴的有效质量

说明：T=300K时，有效状态密度数量级在10的19次方

在是11\一共有50\于星期一

例题10：

求导带中某个状态被电子占据的概率，并计算

T=300K时硅中的热平衡电子浓度

设费米能级位于导带下方0.25eV处，T=300K时硅中有效导带状

态密度值为

在是12\一共有50\于星期一

得到电子浓度为：

说明：某个能级被占据的概率非常小，但是因

为有大量能级存在，存在大的电子浓度值是合

理的。

在是13\一共有50\于星期一

例题11：

计算T=400K时硅中的热平衡空穴浓度

设费米能级位于价带上方0.27eV处，T=300K时硅中有效

价带状态密度值为

在是14\一共有50\于星期一

得到空穴浓度为：

说明：任意温度下的该参数值，都能利用T=300K时