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1.基本的晶体结构
p(a)简立方1个原子
pa)简立方1个原子
(
p(b)体心立方2个原子
pb)体心立方个原子
(2
p(c)面心立方4个原子
p()面心立方个原子
c4
在是1\一共有50\于星期一
例题1:
计算简立方、体心立方和面立方单晶的原子体密
度,晶格常数为
说明:以上计算的原子体密度代表了大多数材
料的密度数量级
在是2\一共有50\于星期一
例题2:
计算硅原子的体密度,其晶格常数为
在是3\一共有50\于星期一
特定原子面密度
例题3:
说明:不同晶面的面密度是不同的
在是4\一共有50\于星期一
2.波粒二象性
例题4:
计算对应某一粒子波长的光子能量
已知波长
已知波长
能量为
能量为
换算为更为常见的电子伏形式
换算为更为常见的电子伏形式
在是5\一共有50\于星期一
例题5:
计算一个粒子的德布罗意波长
已知电子的运动速度为
已知电子的运动速度为
电子动量为
电子动量为
德布罗意波长
德布罗意波长
说明:典型电子的德布罗意波长的数量级
在是6\一共有50\于星期一
3.能级
例题6:
计算无限深势阱中电子的前三能级,势阱的宽度为
计算无限深势阱中电子的前三能级,势阱的宽度为
说明:从计算中可以看到束缚态电子能量数量级
在是7\一共有50\于星期一
4.费米能级
例题7:
费米能级被电子占据的概率
说明:温度高于绝对零度时,费米能级量子态被电
子占据的概率为50%.
在是8\一共有50\于星期一
例题8:
令T=300K,试计算比费米能级高3kT的能级被
电子占据的概率
说明:比费米能级高的能量中,量子态被电子占据的
概率远小于1.
在是9\一共有50\于星期一
例题9:
令T=300K,费米能级比导带低0.2eV。求
(a)Ec处电子占据概率;
(b)Ec+kT处电子占据概率.
在是10\一共有50\于星期一
5.载流子浓度
本征半导体中
有效状态密度
电子和空穴的有效质量
说明:T=300K时,有效状态密度数量级在10的19次方
在是11\一共有50\于星期一
例题10:
求导带中某个状态被电子占据的概率,并计算
T=300K时硅中的热平衡电子浓度
设费米能级位于导带下方0.25eV处,T=300K时硅中有效导带状
态密度值为
在是12\一共有50\于星期一
得到电子浓度为:
说明:某个能级被占据的概率非常小,但是因
为有大量能级存在,存在大的电子浓度值是合
理的。
在是13\一共有50\于星期一
例题11:
计算T=400K时硅中的热平衡空穴浓度
设费米能级位于价带上方0.27eV处,T=300K时硅中有效
价带状态密度值为
在是14\一共有50\于星期一
得到空穴浓度为:
说明:任意温度下的该参数值,都能利用T=300K时
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