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ACFDryETCH制程设备原理介绍
蚀刻在Array制造流程的角色干蚀刻制程原理结论QA干蚀刻设备原理学习目标15324大纲
学习目标本课程透过对蚀刻制程及使用设备的介绍，使学员--了解蚀刻工程部在Array制程中所扮演的角色。--ETCH基本概念。
镀膜(PVD,CVD)上光阻(coater)Etch工程Photo工程TF工程光罩(reticule)对准,曝光(stepper)去光阻液stripper去光阻蚀刻(etch)酸液,气体Array制造流程
蚀刻部门在Array制程中的角色GlassFilm光阻光阻干蚀刻湿蚀刻
干蚀刻制程原理介绍機制:1.)Gasin2.)解離3.)碰撞4.)離子轟擊(非等向性蝕刻)5.)吸附作用6.)化學反應(等向性蝕刻)7.)去吸附作用8.)反應去除将特定气体置于低压状态下施以电压,将其激发解离成各种不同的带电荷离子,原子团,分子及电子.利用这些解离后带能量的反应性的离子及原子团,对特定层膜加以化学反应性的蚀刻及离子轰击,达到膜层去除的目的.ETCH反应机制:物理/化学物理ETCH化学ETCH
干蚀刻设备原理Power區分ETCH設備:HKC使用3.39MHz
PortLoadLackProcessChamberTMGateDoor大氣真空玻璃传送路径
乾蝕刻製程設備介紹1.Gas2.反應室Chamber3.RFPower4.真空裝置5.Temperature6.otherGascylinderPlasma設備相關設計:
乾蝕刻製程設備介紹GasControlSystem:Gasout:APC/TurboPump/DryPump/ScrubberProcessChamberAPCTurboPump廠務DRYPumpScrubberTurboPumpScrubber
乾蝕刻製程設備介紹GasControlSystem:Gasin:GasBox/MFCsystemGasBox:ControlAllGasCl2/SF6/O2/He.BoxKeep負壓監控ForCl2leakIssueETCHGas:Cl2/SF6/O2CarryGas:He
TCsystem++++++++-+BackHeMFCPressureControlTMPAPCSCBDDRYP廠務Glass+-+-+-+--Glass+下电极上电极ProcessChamber介绍
如何知道干蚀刻已完成一、Timemode:以蚀刻率换算膜厚需蚀刻多久二、EPDmode:EndPointDetector(蚀刻终点侦测)电浆中的物种于反应时产生激发反应，因电子的冲击于激起产生发光光谱。若制程进行中对电浆的物种进行连续的光谱监测，即可做为干蚀刻之终点侦测装置。不同的原子或分子有不同的发光频率，这就是为什么不同气体在电浆中有不同颜色。
总结本课程重点为：a.蚀刻在Array制程中所扮演的角色。b.电将蚀刻的基本原理清楚的熟记：a.Etch机台设备原理b.ETCH设备控制机制上完本课程,您必须要有能力回答下列问题DRY蚀刻工程以Power设计主要机台分为那几种？DRY蚀刻机台依不同的反应模式可分为哪几种？又有何不相同处？如何知道已经蚀刻完成?
谢谢！
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