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光刻微电子教研室光刻的基本原理光刻的定义通过光化合反应，将掩膜版上的电路图图形暂时转移到覆盖在半导体晶片上的光刻胶，然后利用光刻胶为掩膜，对下方材料选择性加工（刻蚀或注入），从而在半导体晶片上获得相应电路图形。光刻基本介绍在硅片表面涂胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程，再通过后续加工将图形转移到硅片上将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。光刻占40%到50%的流片时间。决定最小特征尺寸。光刻的目的实现图形的转移，在硅片表面建立尽可能接近设计规则所要求的尺寸图形。光刻三要素掩模版：主体为石英玻璃，透光性高，热膨胀系数小光刻胶：又称光致抗蚀剂，采用适当的有选择性的光刻胶，使表面上得到所需的图像。曝光机：用于曝光显影的仪器，利用光源的波长对于光刻胶的感光度不同，对光刻的图形进行曝光。光刻的基本参数特征尺寸—一般指MOS管的最小栅长分辨率—区分晶圆上两个邻近的图形的能力套准精度—掩膜版上的图形要与晶圆上已经存在的图形对准工艺宽容度—光刻工艺不容易受设备，材料，操作等的影响，生产符合要求的产品。光刻的工艺要求高图形分辨率：分辨率是光刻精度和清晰度的标志之一，表示能够辨识硅片表面两相邻特征图形的最小尺寸高灵敏度：灵敏度又称感光度，指光刻胶感光的速度。精密的套刻对准：大的套刻容差会降低电路密度，限制了器件的特征尺寸，从而降低IC的性能，一般设为特征尺寸的10%左右低缺陷：尽可能避免缺陷的产生高工艺宽容度：高的工艺宽容度意味着，在生产中，即使遭遇到所有的工艺发生变化，在规定的范围内也能达到关键尺寸的要求。曝光光源光源的能量要能使光刻胶感光反应发生变化光源波长越短就越能实现小尺寸图形的制作目前常用的光源是紫外光目前常用的产生光源的设备是汞灯和准分子激光一、电磁光谱二、高压汞灯三、准分子激光概念：一般由惰性气体和卤素构成，如：氟化氩（ArF），氟化氪（KrF）等，分子受激发而处于高能状态，很不稳定易衰变，在恢复到稳定状态过程中以光子的形式释放出多余的能量。优点：可以产生248nm深紫外线以下的波长且具有很强的光强。其中，ArF——193nm，KrF——248mn掩膜版衬底材料为熔融石英淀积在衬底材料上的一般为铬，通过溅射淀积得到另外也有氧化铁的掩膜版光刻胶光刻胶的作用：利用光敏特性，实现临时图形的转移，并在后续工艺中，保护其下方材料，具有抗蚀性光刻胶的种类正胶—曝光部分被溶解，非曝光部分保留负胶—非曝光部分被溶解，曝光部分保留光刻胶的配制良好的抗蚀力较高的分辨率两者要兼顾光刻胶的组成聚合物溶剂感光剂增感剂聚合物：固体有机材料（胶膜的主体），粘合光刻胶中的各种材料曝光后发生光化学反应，溶解性质发生改变.正胶:从不可溶到可溶—聚异戊二烯负胶:从可溶到不可溶—酚醛树脂感光剂：光敏物质，与紫外光可发生反应控制和或改变光化学反应决定曝光时间和强度正胶：重氮萘醌磺酸脂负胶：聚乙烯醇肉桂酸脂，聚烃类双叠氮系列增感剂：提高或改善光刻胶感光性能正胶：苯骈三氮唑负胶：5-硝基苊溶剂：溶解聚合物用溶剂对感光剂等进行溶解，形成一定粘度的液态物质，经过旋转涂布可得到薄光刻胶膜正胶：乙二醇单乙醚或乙酸丁酯负胶：环已酮感光原理：正胶：经紫外光照射后，发生光化学反应，该反应通过切断聚合物主健或侧健使其弱化，因而曝光部分更容易在显影也中溶解。负胶：经紫外光照射后，发生光化学反应。该反应使化学键随机连接，聚合物分子之间产生交联，聚合性增强，使其在显影液中的溶解性变低正胶和负胶的比较光刻的工艺流程表面处理平面度：有平整的表面（硅上氧化层）慢进慢出，严格控制光刻工艺中的环境温度清洁度：有清洁、干燥的硅片表面刷片，化学清洗表面性质：提高表面与光刻胶的粘附性高温烘焙，增粘处理涂胶—要在硅片表面获得一定厚度、均匀、无点缺陷、无杂质的光刻胶。滴涂法（旋转涂胶法）滴胶——低速旋转——高速甩匀——溶剂挥发喷涂法：硅片自动进入涂胶盘进行喷涂膜厚是涂胶的一个重要参数膜厚对分辨率的影响：胶层越厚，分辨率越低膜厚对针孔密度的影响：胶层越薄，针孔密度越大膜厚对光刻胶粘附性的影响前烘：加热去除光刻胶中的溶剂，使其固化，提高光刻胶与衬底的黏附能力以及胶膜的机械擦伤能力常用方法：烘箱法：生产效率高；成本低；烘箱内温度变化大且不均匀热板法：溶剂由内向外蒸发，残留少；传热快；温度均匀红外线加热：溶剂由内向外蒸发，残留少；时间短；温度均匀；（a）烘箱对流加热（b）红外线辐射加热（c）热板传导加热