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;场效应管FET(FieldEffectTransistor)
类型:结型JFET(JunctionFieldEffectTransistor)
绝缘栅型IGFET(InsulatedGateFET)
特点:
1.单极性器件(一种载流子导电)
2.输入电阻高(107?1015?,IGFET可高达1015?)
3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低
;1.结型场效应管的结构与类型
两个PN结夹着一个N型沟道。
三个电极:g:栅极d:漏极s:源极
;2.结型场效应管的工作原理——以N沟道为例
1)栅源电压uGS对沟道及iD的控制作用
在栅源间加负电压uGS,令uDS=0
①当uGS=0时,导电沟道最宽,电阻最小,iD最大。
②当│uGS│↑时,导电沟道变窄,电阻增大,iD减小。
③当│uGS│↑到一定值UGS(off)时,导电沟道会完全合拢,iD很小,忽略不计。
;2.结型场效应管的工作原理——以N沟道为例
2)漏源电压uDS对沟道及iD的影响
在漏源间加电压uDS,令uGS=0
①当uDS=0时,iD=0
③当uDS↑,使uGD=uGS-uDS=UGS(off)时,预夹断;2.结型场效应管的工作原理——以N沟道为例
2)漏源电压uDS对沟道及iD的影响
通过uGS控制iD的大小,结型场效应管为电压控制型器件,其工作状态可概括如下。
(1)当uGSUGS(off)时,结型场效应管截止,iD=0。
(2)当uGD=uGS-uDSUGS(off)时,对应于不同的uGS,漏极和源极之间可等效成不同阻值电阻。
(3)当uGD=uGS-uDS=UGS(off)时,导电沟道出现预夹断。
(4)当uGD=uGS-uDSUGS(off)时,iD几乎仅仅由uGS决定,而与uDS无关,此时可以把iD看成受uGS控制的受控电流源。;3.结型场效应管的伏安特性
1)输出特性曲线:iD=f(uDS)│uGS=常数
;3.结型场效应管的伏安特性
2)转移特性曲线:iD=f(uGS)│uDS=常数
;
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