模拟电子技术项目化教程（第2版）课件 2.18 结型场效应管.pptx

;场效应管FET(FieldEffectTransistor)

类型：结型JFET(JunctionFieldEffectTransistor)

绝缘栅型IGFET(InsulatedGateFET)

特点：

1.单极性器件(一种载流子导电)

2.输入电阻高(107?1015?，IGFET可高达1015?)

3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低

;1.结型场效应管的结构与类型

两个PN结夹着一个N型沟道。

三个电极：g：栅极d：漏极s：源极

;2.结型场效应管的工作原理——以N沟道为例

1）栅源电压uGS对沟道及iD的控制作用

在栅源间加负电压uGS，令uDS=0

①当uGS=0时，导电沟道最宽，电阻最小，iD最大。

②当│uGS│↑时，导电沟道变窄，电阻增大，iD减小。

③当│uGS│↑到一定值UGS(off)时，导电沟道会完全合拢，iD很小，忽略不计。

;2.结型场效应管的工作原理——以N沟道为例

2）漏源电压uDS对沟道及iD的影响

在漏源间加电压uDS，令uGS=0

①当uDS=0时，iD=0

③当uDS↑，使uGD=uGS-uDS=UGS(off)时，预夹断;2.结型场效应管的工作原理——以N沟道为例

2）漏源电压uDS对沟道及iD的影响

通过uGS控制iD的大小，结型场效应管为电压控制型器件，其工作状态可概括如下。

（1）当uGSUGS(off)时，结型场效应管截止，iD=0。

（2）当uGD=uGS-uDSUGS(off)时，对应于不同的uGS，漏极和源极之间可等效成不同阻值电阻。

（3）当uGD=uGS-uDS=UGS(off)时，导电沟道出现预夹断。

（4）当uGD=uGS-uDSUGS(off)时，iD几乎仅仅由uGS决定，而与uDS无关，此时可以把iD看成受uGS控制的受控电流源。;3.结型场效应管的伏安特性

1）输出特性曲线：iD=f（uDS）│uGS=常数

;3.结型场效应管的伏安特性

2）转移特性曲线：iD=f（uGS）│uDS=常数

;