《集成电路设计原理》试卷及答案解读.docx

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电科《集成电路原理》期末考试试卷

一、填空题

1.〔1分〕 年,第一次观测到了具有放大作用的晶体管。

2 . 〔 2 分 〕 摩 尔 定 律 是指 。

3. 集 成 电 路 按 工 作 原 理 来 分 可 分为 、 、 。4.〔4分〕光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、 、 、 、 和去胶。

四种根本类型。

MOSFET 可 以 分

5.〔4分

5.

4

6.〔3分〕影响MOSFET阈值电压的因素有: 、以及 。

7.〔2分〕在CMOS反相器中,V,V

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