提高主存读写速度技术.pptxVIP

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2024-07-26 发布于北京
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提高主存读写速度技术.pptx

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北京理工大学计算机学院第5章5.1存储系统的组成5.2主存储器的组织5.3半导体随机存储器和只读存储器5.4主存储器的连接与控制5.5提高主存读写速度的技术5.6多体交叉存储技术5.7高速缓冲存储器5.8虚拟存储器

北京理工大学计算机学院5.5提高主存读写速度的技术5.5.1主存与CPU速度的匹配过去，主存的速度通常以纳秒（ns）表示，而CPU速度总是被表示为兆赫兹（MHz），最近一些更快更新的主存也用MHz来表示速度。主存总线的速度与CPU总线速度相等，那么主存的性能将是最优的。然而通常主存的速度落后于CPU的速度，两者之间存在着很大的差距，这就是为什么需要高速缓冲存储器（Cache）的原因。

北京理工大学计算机学院5.5提高主存读写速度的技术5.5.2内存的发展FPMDRAMEDODRAMSDRAMDDRSDRAMDDR2、DDR3和DDR4SDRAMRambusDRAM

北京理工大学计算机学院5.5提高主存读写速度的技术5.5.3多通道内存技术1.双通道内存技术双通道内存技术，就是在北桥芯片组里制作两个内存控制器，这两个内存控制器是可以相互独立工作的。在这两个内存通道上，CPU可以分别寻址、读取数据，从而可以使内存的带宽增加一倍，理论上数据存取速度也相应增加一倍。

北京理工大学计算机学院5.5提高主存读写速度的技术2.三通道内存技术Corei7处理器抛弃了前端总线而采用QPI总线，同时将内存控制器从北桥中成功转移到CPU中，内存与处理器之间采用点对点连接设计，内存里的数据可由内存总线直接传送给处理器，使得内存读取延迟大幅减少。三通道将内存总线位宽扩大到了64×3=192位，同时采用DDR31333内存，因此其内存总线带宽达到了1333MHz×192÷8=32GB/s，内存带宽得到巨大的提升。三通道内存的理论性能也能比同频率双通道内存提升50%以上。