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Fab厂常用术语somephrasesandwordsinFABcleanroomsystemA.M.U原子质量
数ADIAfterdevelopinspection显影后检视AEI蚀科后检查Alignment排成一直
线对平Alloy融合电压与电流成线性关系降低接触的阻值ARCanti-reflectcoating
防反射层ASHER:一种干法刻蚀方式ASI光阻去除后检查Backside晶片背面
BacksideEtch背面蚀刻Beam-Current电子束电流BPSG:含有硼磷的硅玻璃
Break中断stepper机台内中途停止键Cassette装晶片的晶舟CDcriticaldimension
关键性尺寸Chamber反应室Chart图表Childlot子批Chipdie晶粒CMP化学
机械研磨Coater光阻覆盖机台Coating涂布光阻覆盖ContactHole接触窗
ControlWafer控片Criticallayer重要层CVD化学气相淀积Cycletime生产周
期Defect缺陷DEP:deposit淀积Descum预处理Developer显影液显影机台
Development显影DG:dualgate双门DIwater去离子水Diffusion扩散Doping
掺杂Dose剂量Downgrade降级DRC:designrulecheck设计规则检查DryClean
干洗Duedate交期Dummywafer挡片E/R:etchrate蚀刻速率EE设备工程师
EndPoint蚀刻终点ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage静电离子损伤
ET:etch蚀刻Exhaust排气将管路中的空气排除Exposure曝光FAB工厂FIB:
focusedionbeam聚焦离子束FieldOxide场氧化层Flatness平坦度Focus焦距
Foundry代工FSG:含有氟的硅玻璃Furnace炉管GOI:gateoxideintegrity门氧
化层完整性H.M.D.SHexamethyldisilazane经去水烘烤的晶片将涂上一层增加光阻
与晶片表面附着力的化合物称H.M.D.SHCI:hotcarrierinjection热载流子注入
HDPhighdensityplasma高密度等离子体High-Voltage高压Hotbake烘烤ID辨
认鉴定Implant植入Layer层次LDD:lightlydopeddrain轻掺杂漏Localdefocus
局部失焦因机台或晶片造成之脏污LOCOS:localoxidationofsilicon局部氧化
Loop巡路Lot批Maskreticle光罩Merge合并MetalVia金属接触窗MFG制
造部Mid-Current中电流Module部门NIT:Si3N4氮化硅Non-critical非重要
NP:n-dopedplusNN型重掺杂NW:n-dopedwellN阱OD:oxidedefinition定义氧化
层OM:opticmicroscope光学显微镜OOC超出控制界线OOS超出规格界线
OverEtch过蚀刻Overflow溢出Overlay测量前层与本层之间曝光的准确度OX:
SiO2二氧化硅P.R.Photoresisit光阻P1:poly多晶硅PApassivation钝化层
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