电磁学4.6两种介质分界面上的边界条件.pptVIP

要点：界面上介质的性质有一突变，这将导致静电场也会有突变电场、磁场的高斯定理、环路定理的积分形式在边界上依然成立，可以把不同介质的场量用积分方程联系起来方程的微分形式只适用于非边界区域，对于边界突变处，方程的微分形式已失去意义通常用积分方程还不能直接求得空间各点场量的分布，所以常常要将方程的积分形式变换成微分形式必须考虑用新的形式来给出边界上各物理量的关系，亦即给出边界条件实际上边界条件就是把积分方程放到边界突变处得到的结果导体界面上的边界条件设界面上有自由电荷积累?0高斯定理和电流连续性方程可得0恒定电流结论两种不同介质的分界面上，两部分介质的?、?、?不同相应地有三组边界条件磁介质界面上，B法向连续，H切向连续电介质界面上，D法向连续，E切向连续以上设界面上没有自由电荷和无传导电流两种导体界面上，j法向连续，E切向连续电流线、电场线和磁感应线

在边界上的“折射”j、D、B法向分量连续，切向分量不连续——三者在两种界面发生折射B线折射磁屏蔽和静电屏蔽和磁路定理磁屏蔽效果没有静电屏蔽好磁路定理：闭合磁路的磁动势等于各段磁路的磁位降落和（与电路类比）它的理论依据是安培环路定理，只是将安培环路定理具体落实到与磁路的尺寸、长短有关的磁阻与磁通量上。虽然铁磁质不满足关系B=?0?H，但是，对于一定的H值，可由磁化曲线求得对应的B值，并由此求得该H值所对应的“相对磁导率”，所以各段磁路的?是不同的。磁动势各段磁路的通量一样磁阻Rm**