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半导体工艺实验报告【交大】--第1页
半导体制造工艺实验
姓名：章叶满班级：电子1001学号
一、氧化
E3:25.1:1
.
goathena
#TITLE:OxideProfileEvolutionExample
#Substratemeshdefinition
lineyloc=0spac=0.05
lineyloc=0.6spac=0.2
lineyloc=1
linexloc=-1spac=0.2
linexloc=-0.2spac=0.05
linexloc=0spac=0.05
linexloc=1spac=0.2
initorient=100
#Anisotropicsiliconetch
etchsiliconleftp1.x=-0.218p1.y=0.3p2.x=0p2.y=0
#Padoxideandnitridemask
depositoxidethick=0.02div=1
depositnitridethick=0.1div=1
etchnitrideleftp1.x=0
etchoxideleftp1.x=0
#Fieldoxidationwithstructurefileoutputformovie
diffusetim=90tem=1000weto2dump=1dump.prefix=anoxex01m
tonyplot-stanoxex01m*.str
structureoutfile=anoxex01_0.str
quit
实验截图:
半导体工艺实验报告【交大】--第1页
半导体工艺实验报告【交大】--第2页
半导体工艺实验报告【交大】--第2页
半导体工艺实验报告【交大】--第3页
实验分析：
当氧扩散穿越已生长的氧化剂时，它是在各个方向上扩散的。一
些氧原子纵向扩散进入硅，另一些氧原子横向扩散。这意味着在氮化
硅掩膜下有着轻微的侧面氧化生长。由于氧化层比消耗的硅更厚，所
以在氮化物掩膜下的氧化生长将抬高氮化物的边缘。这就是LOCOS
氧化工艺中的“鸟嘴效应”。这种现象是LOCOS氧化工艺中不受欢
迎的副产物。氧化物较厚时，“鸟嘴效应”更显著。为了减小氮化物
掩膜和硅之间的应力，在它们之间热生长一层薄氧化层—垫氧。或者
可以使用浅槽隔离技术来代替LOCOS，这样就可以避免“鸟嘴效应”。
E3:25.1:2
.
goathena
#TITLE:MixedAmbientOxidationExample
#Thisexampledemonstratesmixedambientoxidationin1D
#
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