LTPSTFT器件工作原理介绍彭濤1.pptx

LTPSTFT器件原理及特性介绍1XiamenTianmaMicroelectronicsweiyang_gong@tianma.cnLTPS-DE2012.07.09

LTPSTFT器件工作原理LTPS器件重要参数简介LTPS器件可靠性LTPS器件应用2XiamenTianmaMicroelectronicsweiyang_gong@tianma.cn主要内容

MOSFET基本结构MOSFET全称Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor。MOS表示器件的基本结构，FET表示器件的工作原理。3OLEDGroup

MOSFET基本结构4OLEDGroup

TFT器件工作原理沟道形成随着栅极正偏电压逐渐增大，硅表面电子逐渐增多最后形成一个形成导电沟道。这时如果给漏极加电压，就会有电流流过。沟道从无到有时所需的栅极电压VG定义为阈值电压VT5XiamenTianmaMicroelectronicsweiyang_gong@tianma.cn

MOS工作状况-NMOSN+ N+GateS D当VGS比较小时,首先是驱赶表面的空穴,使表面正电荷耗尽,形成带固定负电荷的耗尽层增加VGS,耗尽层向衬底下部延伸,并有少量的电子被吸引到表面,形成可运动的电子电荷随着VGS的增加，表面积累的可运动电子数量越来越多在Vd的作用下,表面形成的电子沟道受到横向电场的作用开始向右移动.6XiamenTianmaMicroelectronicsweiyang_gong@tianma.cn

Id-VdandId-VgcurveId-VdcurveId-VgcurveLTPS产品TEGTest重要的两个I-V曲线.可以体现制作的器件性能7XiamenTianmaMicroelectronicsweiyang_gong@tianma.cn

TFTId-VdCurve(1)假设VGVt,当Vds较小时,它对反型层影响较小,表面沟道类似一个简单电阻,MOS管呈现电阻特性。反映在Id-Vd曲线上就是线性区。Id-VdCurve线性区8XiamenTianmaMicroelectronicsweiyang_gong@tianma.cn

TFTId-VdCurve(2)Id-VdCurve饱和区沟道在漏极一端的电位近似于Vd，栅极与沟道内的真正电位差为Vg-Vd。而在源极一端。因为多数情况下源极电位为零，电位差即为Vg。所以从源极到漏极沟道厚度逐渐变窄。当Vd逐渐增大，直到Vd=Vg-VT时，沟道消失。这种现象称为夹断。9XiamenTianmaMicroelectronicsweiyang_gong@tianma.cn

TFTId-VdCurve(3)Id-VdCurve饱和区在夹断发生后继续增大Vd,夹断区扩展而有效沟道长度变短。增加的电压几乎全部落在夹断区上,所以Id变化不大,对应的Id-Vd曲线进入饱和区10XiamenTianmaMicroelectronicsweiyang_gong@tianma.cn

Id-Vgcurve通过Id-Vgcurve可以得到我们需要的电性参数:Vt,Ion,Ioff,u,ss等.同时判断制作的器件是否满足设计上要求.固定电流法定义Vt(开启电压)MOSFETVSLTPSandA-Si11XiamenTianmaMicroelectronicsweiyang_gong@tianma.cn

器件参数介绍-Vt(阈值电压)NMOS:衬底中空穴越多(即越偏P型),所需要的Vt越大Gate加正电压排斥空穴吸引电子PMOS:衬底中电子越多(即越偏N型),所需要的Vt越大(负电压绝对值)12XiamenTianmaMicroelectronicsweiyang_gong@tianma.cnGate加负电压排斥电子吸引空穴VT:主要受沟道区掺杂浓度、界面态与氧化层电容影响。(III/V族元素污染和金属离子污染也会显著影响VT.)影响VtProcess:ChannelDoping,注入B+orP+等效在衬底上增加空穴or电子的比例.从而达到调节Vt的目的.Pre-GIClean:Poly/GI的界面清洗会影响到界面态缺陷数目.从而对Vt产生一定影响.GIDepo:绝缘层的膜质及介电常数(影响氧化层电容)

器件参数介绍-载流子迁移率A-SiVSPoly-Si(Mobility)表面roughnessGrainboundry迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作