薄膜物理膜厚的测量与监控.ppt

2．阻抗放大法阻抗放大法的原理如图2—38(b)所示。由于触针上下运动使电感器的间隙4发生相应的变化时，感抗随之变化，导至线圈阻抗改变。再利用放大电路放大并显示该阻抗的变化量，即可表征触针上下运动的距离。第32页,共37页，星期六，2024年，5月3压电元件法压电元件法是利用压电材料的压电效应来放大并显示触针上下运动的距离。由于触针上下运动。作用在压电晶体元件的压力将随之改变，从而导致元件的电参数亦随之改变。放大并显示该电参数的变化量，即可表征触针上下运动的数值。第33页,共37页，星期六，2024年，5月触针式膜厚测量法广泛用于硬质膜厚的测量，其精度比多光束干涉法精确。但应注意以下几个方面，因为它直接影响触针法的应用与精度：(1)由于触针尖端的面积非常小，会穿透铝膜等易受损伤的软质膜，并在其上划出道沟，从而产生极大的误差；(2)基片表面的起伏或不平整所造成的“噪声”亦会引起误差；(3)被测薄膜与基片之间，必须要有膜-基台阶存在，才能进行测量。第34页,共37页，星期六，2024年，5月习题二什么是饱和蒸气压？蒸发温度？克--克方程及其意义？蒸发速率、温度变化对其的影响？平均自由程与碰撞几率的概念？膜厚的定义？监控方法？试简述分子束外延技术（MBE）的主要特点及其主要用途。在小面积圆形基片上用点源蒸发镀膜。设源—基距为基片直径的2倍，试求出基片上膜厚的最大相对偏差。现有一球形玻璃泡，欲在其内表面蒸镀铝膜，蒸发源是一小平面状铝片。试证明将蒸发源置于玻璃泡底部，就能得到厚度均匀分布的膜层。第35页,共37页，星期六，2024年，5月当小平面源为球形工作架的一部分时，在内球体表面上的膜厚分布是均匀的。当，时，厚度与角无关，对于一定半径R的球形工作架，其内表面膜厚取决于材料性质、R的大小及蒸发量。小平面源与基板相对位置第36页,共37页，星期六，2024年，5月*感谢大家观看第37页,共37页，星期六，2024年，5月关于薄膜物理膜厚的测量与监控真空蒸发镀膜第二章第2页,共37页，星期六，2024年，5月2—5膜厚和淀积速率的测量与监控第3页,共37页，星期六，2024年，5月薄膜的性质和结构主要决定于薄膜的成核与生长过程，实际上受许多淀积参数的影响，如淀积速率、粒子速度与角分布、粒子性质、衬底温度及真空度等。因此，在气相沉积技术中为了监控薄膜的性质与生长过程，必须对淀积参数进行有效的测量与监控。在所有沉积技术中，淀积速率和膜厚是最重要的薄膜淀积参数。第4页,共37页，星期六，2024年，5月一、膜厚的分类薄膜通常是在基板的垂直方向上所堆积的1～104的原子层或分子层。在此方向上，薄膜具有微观结构。理想的薄膜厚度是指基片表面和薄膜表面之间的距离。第5页,共37页，星期六，2024年，5月图2-30是实际表面和平均表面的示意图。平均表面是指表面原子所有的点到这个面的距离代数相等于零，平均表面是一个儿何概念。第6页,共37页，星期六，2024年，5月通常，将基片一侧的表面分子的集合的平均表面称为基片表面Ss；薄膜上不与基片接触的那一侧的表面的平均表面称为薄膜形状表面Sr；将所测量的薄膜原子重新排列，使其密度和块状材料相同且均匀分布在基片表面上，这时的平均表面称为薄膜质量等价表面Sm；根据测量薄膜的物理性质等效为一定长度和宽度与所测量的薄膜相同尺寸的块状材料的薄膜，这时的平均表面称为薄膜物性等价表面Sp。第7页,共37页，星期六，2024年，5月由此可以定义：(1)形状膜厚dr是Ss和ST面之间的距离；(2)质量膜厚dm是Ss和SM面之间的距离；(3)物性膜厚dP是Ss和SP面之间的距离。第8页,共37页，星期六，2024年，5月形状膜厚dT是最接近于直观形式的膜厚，通常以μm为单位。dT只与表面原子(分子)有关，并且包含着薄膜内部结构的影响；质量膜厚dM反映了薄膜中包含物质的多少，通常以μg／cm2为单位，它消除了薄膜内部结构的影响(如缺陷、针孔、变形等)；物性膜厚dP在实际使用上较有用，而且比较容易测量，它与薄膜内部结构和外部结构无直接关系，主要取决于薄膜的性质(如电阻率、透射率等)。三种定义的膜厚往往满足下列不等式：第9页,共37页，星期六，2024年，5月表2-8膜