镀膜方法 _原创精品文档.pdfVIP

各种方法镀膜的优缺点

1、脉冲激光沉积

脉冲激光沉积法(PLD法)是20世界80年代后期发展起来的一种物理沉积方法，

是一种很有竞争力的新工艺。是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击

出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。

PLD作为一种新的先进的成膜技术。与其他工艺相比，生长参数独立可调、

可精确控制化学计量比，易于实现超薄薄膜的生长和多层膜的制备，生长的薄膜

结晶性能很好，膜的平整度也较高。PLD技术的成膜效率高，能够进行批量生产，

这是它的很大的优势，有望在高质量ZnO薄膜的研究和生产中得到广泛的应用。

但是由于等离子体管中的微粒气态原子、和分子沉积在薄膜上会降低薄膜的质量，

采取相应的措施后可以获得改善，但不能完全消除。而且PLD生长在控制掺杂、

生长平滑的多层膜和厚度均匀等方面都比较困难从而，比较难以进一步提高薄膜

的质量。

2、化学气相沉积

化学气相沉积(CVD)法是一种或几种气态反应物在衬底表面发生化学反应而

沉积成膜的工型17-201。反应物质是由金属载体化合物蒸汽和气体载体所构成，

沉积在衬底上形成金属氧化物薄膜，衬底表面上发生的这种化学反应通常包括金

属源材料的热分解和原位氧化。CVD法的主要控制参数为气体流量、气体成分、

沉积温度和衬底的几何形状等。按工作压强CVD可分为常压CVD(APCVD)和低压

CVD(LPCVD)；按激活能源区可分为等离子体CVD(PECVD)、光CVD、热CVD和电子回

旋共振CVD(ECRCVD)等；按使用的原材料不同，可分为普通CVD和有机金属

CVD(MOCVD)。

CVD法所需设备相对于溶胶凝胶法而言比较复杂和昂贵，但制备的薄膜相对

来说比较致密、质量稳定可靠。一般CVD法所需要的衬底温度为600℃左右，采

用等离子体辅助可以适当降低成膜温度。其中，MOCVD法成膜质量高，并且能实

现高速度、大面积、均匀、多片同时生长，符合产业化要求，因此成为人们研究

的重点。MOCVD法的缺点是原料化学性质不稳定、有毒且价格昂贵，尾气需要专

门的备处理。

3、分子束外延

分子束外延(ⅧE)是在超高真空条件下，精确控制原材料的中性分子细流即

分子束强度，把分子束射入到被加热的衬底上而进行外生长[18-19]。MBE是一

种有效地薄膜制备技术，易于控制组分和高浓度掺杂，可进行原子操作，而且源

和衬底分别进行加热和控制生长温度低，但设备要求超高真空，生长速度也较慢。

4、溶胶凝胶

溶胶一凝胶(S01．gel)技术是指金属有机或无机化合物(称前驱物)，经溶

液、溶胶、凝胶而固化，在溶胶或凝胶状态下成型，再经处理转化为氧化物或其

它化合物固体薄膜的方法，是应用胶体化学原理制备无机材料的一种湿化学方法

【21。24】。此法易于控制薄膜组分，可在分子水平控制掺杂，尤其适用于制备

掺杂水平要求精确的薄膜。此法无需真空设备，工艺简单，可获得理想厚度和组

分的

薄膜，适用于大面积且形状复杂的衬底，而不损伤衬底，对TCO薄膜的大型产业

化具有非常重要的意义。此法的不足之处是薄膜制的过程中影响薄膜的不确定因

素很多，难以控制薄膜质量。

5、磁控溅射

磁控溅射法被认为是镀膜技术中最成熟的ZnO：A1薄膜制备方法，通常分为

直流溅射(DC)【28-301和射频溅射(I江)两种【31’321]该方法是利用高能粒子

轰击靶材，使得靶材原子或分子被溅射出来并沉积到衬底表面的一种工艺，以溅

射产率高、基片温升低、薄膜基底结合力好、装置性能稳定、操作控制方便等优

点受到青睐，磁控溅射法可获得高度c轴取向，表面平整度高，可见光透过率较

高及低电阻率ZnO：A1的薄膜。但是在磁控溅射过程中，因为粒子轰击衬底及已

生长的薄膜易于造成表面损伤，以及部分锌原子与氧原子没有完全反应所产生的

缺陷等但在目前的技术条件下，磁控溅射仍然是是研究最多、应用最广泛的薄膜

沉积方法，是大面积均匀沉积ZnO：A1透明导电膜玻璃的的首选方案。