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二氧化硅薄膜制备

二氧化硅薄膜的制备及应用

班级:08微电子一班姓名:袁峰学号:087305136

摘要:二氧化硅薄膜具有良好的硬度、光学、介电性质及耐磨、抗

蚀等特性,在光学、微电子等领域有着广泛的应用前景,是目前国际上广

泛关注的功能材料。论述了有关二氧化硅薄膜的制备方法,相应性质及

其应用前景。

关键词：二氧化硅，薄膜，制备，应用，方法

引言：二氧化硅具有硬度高、耐磨性好、绝热性好、光透过率高、

抗侵蚀能力强以及良好的介电性质。通过对各种制备方法、制备工艺

的开发和不同组分配比对二氧化硅薄膜的影响研究,制备具有优良性能

的透明二氧化硅薄膜的工作已经取得了很大进展。薄膜在诸多领域得

到了很好的应用,如用于电子器件和集成器件、光学薄膜器件等相关器

件中。利用纳米二氧化硅的多孔性质可应用于过滤薄膜、薄膜反应和

相关的吸收剂以及分离技术、分子工程和生物工程等,从而在光催化、

微电子和透明绝热等领域具有很好的发展前景。本文将对二氧化硅薄

膜的制备、性能及其应用研究进行了综述。

1二氧化硅（SiO2）薄膜的制备

针对不同的用途和要求,很多SiO2薄膜的制备方法得到了发展与

应用,主要有化学气相淀积，物理气相淀积，热氧化法，溶胶凝胶法和

液相沉积法等。

1.1化学气相淀积（CVD）

1969年，科莱特（Collett）首次利用光化学反应淀积了Si3N4薄

膜，从此开辟了光化学气相淀积法在微电子方面的应用。

化学气相淀积是利用化学反应的方式，在反应室内，将反应物

（通常是气体）生成固态生成物，并淀积在硅片表面是的一种薄膜淀

积技术。因为它涉及化学反应，所以又称CVD（ChemicalVapour

Deposition）。

CVD法又分为常压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积

(LPCVD)、等离子增强化学气相沉积(PECVD)和光化学气相沉积等。

此外CVD法制备SiO2可用以下几种反应体系:SiH4-O2、SiH4-N2O、

SiH2Cl2-N2O、Si(OC2H5)4等。各种不同的制备方法和不同的反应

体系生长SiO2所要求的设备和工艺条件都不相同,且各自拥有不同的

用途和优缺点。目前最常用的是等离子体增强化学气相沉积法。

1.1.1等离子体增强化学气相沉积法

这种技术利用辉光放电,在高频电场下使稀薄气体电离产生等离子

体,这些离子在电场中被加速而获得能量,可在较低温度下实现SiO2薄

膜的沉积。这种方法的特点是沉积温度可以降低,一般可从LPCVD中的

700℃下降至200℃,且生长速率快,可准确控制沉积速率(约1nm樸s),

生成的薄膜结构致密;缺点是真空度低,从而使薄膜中的杂质含量(Cl、O)

较高,薄膜硬度低,沉积速率过快而导致薄膜内柱状晶严重,并存在空洞等。

目前已发展了双源等离子体CVD、电子回旋共振等离子体增强化

学气相沉积(ECR2PECVD)、微波等离子体增强化学气相沉积

(MPECVD)[10]等技术。采用开放式2.45GHzECR2PECVD装置,产生

低能量、低气压、高密度的等离子体,并将一个可独立调节和控制的

13.56MHz的射频偏压加在待沉积的单面抛光Si(100)基片上,用SiH4、

O2和Ar气体作为反应气体来制备SiO2薄膜。结果表明,通过改变射

频偏压来控制离子轰击能量,使ECR2PECVD成膜的内应力、溅射现象、

微观结构和化学计量均受到很大程度的影响。1.1.2光化学气相沉积法

这种方法是使用紫外汞灯(UV2Hg)作为辐射源,利用Hg敏化原理,

在SiH4+N2O混合气体中进行光化学反应。SiH4和O2分2路进入

反应室,在紫外光垂直照射下,反应方程式如下

3O22O·3(195nm)

O·3O·+O2(200300nm)～

总反应式为SiH4+