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ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作用机理

一、本文概述

氧化锌（ZnO）作为一种宽禁带直接带隙半导体材料，因其独特

的物理和化学性质，在发光二极管、太阳能电池、透明导电薄膜、气

体传感器等领域具有广泛的应用前景。然而，ZnO中本征缺陷和掺杂

的存在对其性能产生了显著影响。因此，深入研究ZnO中本征缺陷和

掺杂与发光的关系及其作用机理，对于优化ZnO基器件的性能和推动

相关领域的科技进步具有重要意义。

本文旨在全面综述ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作

用机理。我们将介绍ZnO的基本性质和制备方法，为后续研究奠定基

础。接着，我们将详细分析ZnO中的本征缺陷类型及其对发光性能的

影响，包括氧空位、锌空位、锌间隙原子等。在此基础上，我们将进

一步探讨掺杂元素对ZnO发光性能的影响，包括掺杂类型、掺杂浓度

等因素。我们将总结ZnO中本征缺陷和掺杂的作用机理，并提出未来

研究方向和潜在应用。

通过本文的综述，我们期望能够为相关领域的研究人员提供有益

的参考和启示，推动ZnO基器件的性能优化和科技进步。

二、ZnO的本征缺陷与发光

ZnO作为一种宽禁带半导体材料，其本征缺陷在发光性质中起着

至关重要的作用。ZnO的本征缺陷主要包括锌间隙原子(Zn_i)、氧空

位(V_O)、锌空位(V_Zn)以及反位缺陷(O_Zn和Zn_O)等。这些缺陷的

存在不仅影响了ZnO的电子结构，还在很大程度上决定了其发光性质。

锌间隙原子(Zn_i)和氧空位(V_O)作为施主型缺陷，它们可以在

ZnO的导带中引入额外的电子，从而改变其电子浓度和费米能级位置。

这种电子浓度的变化会进一步影响ZnO的光致发光(PL)性质，导致可

见光波段的发光增强。

锌空位(V_Zn)和反位缺陷(O_Zn和Zn_O)通常作为受主型缺陷存

在，它们可以在价带中引入空穴。这些空穴与导带中的电子复合时，

会释放出能量，表现为发光现象。特别是深能级缺陷，如锌空位和反

位缺陷，它们的发光通常位于近红外或红外波段，对于ZnO在光电器

件中的应用具有重要意义。

ZnO中的缺陷还可以通过影响载流子的传输和复合过程来调控其

发光。例如，缺陷可以作为载流子的捕获中心，从而改变载流子的寿

命和复合速率。这种调控作用使得ZnO的发光性质具有较大的可调性，

为实现高效、稳定的发光器件提供了可能。

ZnO的本征缺陷与其发光性质之间存在着密切的关系。通过深入

研究和调控这些缺陷，我们可以进一步优化ZnO的发光性能，为其在

光电器件领域的应用提供理论基础和技术支持。

三、ZnO的掺杂与发光

ZnO作为一种宽禁带半导体材料，其发光性质在光电器件中有广

泛应用。然而，纯ZnO的发光效率往往受限，因此通过掺杂调控其发

光性质成为了研究的热点。掺杂不仅可以调控ZnO的能带结构，还可

以引入新的发光中心，从而增强其发光性能。

掺杂主要分为两种类型：一种是施主掺杂，如Al、Ga等；另一

种是受主掺杂，如N、P等。施主掺杂可以在ZnO中引入额外的电子，

形成浅能级施主态，而受主掺杂则可以引入空穴。这些额外的载流子

在受到激发时，可以在ZnO中形成复合发光中心，从而改变其发光性

质。

例如，Al掺杂ZnO可以形成稳定的Al-O键，使得ZnO的禁带宽

度增大，发光波长蓝移。Al的引入还可以抑制ZnO中的深能级缺陷，

减少非辐射复合，从而提高其发光效率。另一方面，N掺杂ZnO可以

在其带隙中引入新的能级，形成新的发光中心，如绿光发射。N的掺

入还可以提高ZnO的结晶质量，减少晶格缺陷，进一步增强其发光性

能。

掺杂是调控ZnO发光性质的有效手段。通过选择合适的掺杂元素

和掺杂浓度，可以实现对ZnO发光波长、发光强度以及发光效率等性

质的精确调控，为其在光电器件中的应用提供了广阔的可能性。然而，

掺杂对于ZnO发光性质的影响机理仍需进一步深入研究，以推动ZnO

基光电器件的性能优化和应用拓展。

四、ZnO发光性能的优化

ZnO作为一种宽禁带半导体材料，在发光器件、激光器、光电探

测器等领域具有广泛的应用前景。然而，其本征缺陷和掺杂对发光性

能的影响限制了其实际应用。因此，优化ZnO的发光性能成为了当前

研究的热点之一。

优化ZnO