EEPROM读写周期时间的测试方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102842344A

(43)申请公布日2012.12.26

(21)申请号CN201210302880.9

(22)申请日2012.08.24

(71)申请人湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

地址430000湖北省孝感市长征路95号

(72)发明人袁云华李永梅王炳军

(74)专利代理机构武汉开元知识产权代理有限公司

代理人徐祥生

(51)Int.CI

G11C29/56

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

EEPROM读写周期时间的测试方法

(57)摘要

本发明涉及EEPROM读写周期时

间的测试方法，包括以下步骤：编写前2

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种EEPROM读写周期时间的测试方法，包括以下步骤：

a．编写测试图形向量；

a11．根据被测EEPROM“页写”的大小以及测试系统图形发生器的容

量，设置所编写的图形向量为前2supn/sup(0≤n≤5)页存储单元的写操

作图形向量和读操作图形向量；

a12．选择第一页存储单元；

a13．设置背景数据；

a14．根据器件详细规范规定的写周期时间和实际运行速率，按

公式“写周期时间=速率×循环次数”设置循环次数；

a15．发写命令，写入背景数据；

a16．将步骤a15重复步骤a14所述的次数，直至将背景数据全

部写入。

a17．选择下一页存储单元，设置不同的背景数据；重复步骤a14~

a16，直至步骤a11所述存储单元全部写操作完成；

a21．选择第一个存储单元；

a22．发读命令，读出存储单元当前的数据；

a23．选择下一个地址单元，重复步骤a22，直至步骤a11所述存

储单元全部读操作完成；

b．测试写周期时间：

b1．设置写周期时间为tsubWC/sub的最大值，运行写操作图形向量，对

步骤a11所述的存储单元进行写操作；

b2．等待写周期时间tsubWC/sub，将背景数据全部写入步骤a11所述的

存储单元；

b3．设置读周期时间为tsubRC/sub极限值的5~10倍，运行读操作图形向

量，进行一次读操作，读出步骤a11所述存储单元内当前的数据；

b4．比较步骤b3读出的数据与背景数据是否相同。若相同，则

步骤a11所述存储单元的写周期时间测试合格；

b5．将高位地址线逐位反相，选定下一个2supn/sup(0≤n≤5)页存储单元，

重复步骤b1~b4，直到被测EEPROM所有存储单元的写周期时间都

测试完毕。

b6．若所有存储单元写周期时间均测试合格，则被测器件的写周

期时间测试合格，否则测试不合格。

c．测试读周期时间：

c1．设置写周期时间为tsubWC/sub极限值的5~10倍，运行写操作图形向

量，并等待tsubWC/sub极限值5~10倍的时间，将背景数据写入

步骤a11所述的存储单元；

c2．将高位地址线逐位反相，选定下一个2supn/sup(0≤n≤5)页存储单元，

重复步骤c1，直到将背景数据写入全部存储单元；

c3．设置读周期时间为tsubRC/sub的最小值，运行读操作图形向量，进

行一次读操作，读出步骤a11所述存储单元内的实际数据；

c4．比较步骤c3读出的数据与