半导体制造过程控制系统（PCS）系列：光刻控制系统_5.光刻工艺参数控制.docx

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5.光刻工艺参数控制

5.1光刻工艺参数概述

光刻工艺是半导体制造过程中的关键步骤之一，其主要目的是将电路图案精确地转移到晶圆表面的光刻胶层上。为了确保光刻工艺的质量和效率，需要对多个工艺参数进行严格控制。这些参数包括但不限于曝光时间、曝光剂量、光刻胶厚度、对准精度、温度和湿度等。每个参数的精确控制对于最终芯片的性能和可靠性至关重要。

5.2曝光时间控制

曝光时间是光刻工艺中一个非常重要的参数。曝光时间的长短直接影响光刻胶的曝光程度，进而影响图案的分辨率和准确性。过长的曝光时间会导致光刻胶过度曝光，使得图案模糊或失真；过短的曝光时间则可能导致曝光不