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半导体制造过程控制系统(PCS)系列:光刻控制系统_10.光刻缺陷检测与分析.docx

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10.光刻缺陷检测与分析

10.1引言

在半导体制造过程中,光刻是将设计图案精确转移到晶圆上的关键步骤。然而,光刻过程中可能会出现各种缺陷,如线条宽度不一致、图案缺失、图案变形等。这些缺陷不仅影响芯片的性能和可靠性,还可能导致整个批次的晶圆报废,造成巨大的经济损失。因此,光刻缺陷检测与分析是确保产品质量和提高生产效率的重要环节。

10.2光刻缺陷检测技术

10.2.1光学检测

光学检测是最常用的光刻缺陷检测方法之一,通过高分辨率的光学显微镜或电子显微镜对晶圆进行扫描,检测出缺陷位置和类型。光学检测技术包括:

明场检测(BrightFieldI

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