半导体制造过程控制系统（PCS）系列：光刻控制系统_11.光刻过程中的温度控制.docx

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11.光刻过程中的温度控制

11.1温度对光刻过程的影响

在光刻过程中，温度控制是非常关键的环节。温度的变化会影响光刻胶的性能、曝光均匀性和对准精度等，从而直接影响到半导体器件的良率和性能。具体来说，温度变化会导致以下几个方面的问题：

光刻胶性能变化：光刻胶的粘度、溶解速度和曝光灵敏度都会随着温度变化而变化。温度过高或过低都可能导致光刻胶的化学性质发生变化，影响其在光刻过程中的表现。

曝光均匀性：温度不均匀会导致曝光能量在晶圆表面的分布不均匀，从而影响图案的形成。温度变化还可能导致光源的波长发生变化，进一步影响曝光效果。

对准精度：温度变化会导致晶圆