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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（10）申请公布号
CN101139700A
（43）申请公布日2008.03.12
（21）申请号CN200710047376.8
（22）申请日2007.10.24
（71）申请人中国科学院上海硅酸盐研究所
地址200050上海市长宁区定西路1295号
（72）发明人李效民;何西亮;吴洁华;宋力昕;高相东
（74）专利代理机构上海智信专利代理有限公司
代理人潘振甦
（51）Int.CI
C23C14/24;
C23C14/10;
C23C14/54;
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称
氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法
（57）摘要
本发明涉及一种氧等离子体辅助脉冲激光
沉积法制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于将
硅靶及清洗后的衬底置于真空生长室中；将生长
室抽真空；利用脉冲激光辐照硅靶材，同时在真
空室中通入一定量的氧气，利用外部电源施加高
压将通入的氧气体电离，产生高化学活性的氧等
离子体，氧等离子体起辅助生长以及补充脉冲激
光法沉积二氧化硅薄膜过程中需要补充的氧的作
用；相比没有氧等离子体辅助的脉冲激光沉积二
氧化硅薄膜，本发明可以制备出化学计量比的高
性能的二氧化硅薄膜。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2008-03-12公开公开
2008-05-07实质审查的生效实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤发明专利申请公布后的视为撤
2010-08-25
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权利要求说明书
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说明书
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