半导体制造过程控制系统（PCS）系列：光刻控制系统_9.光刻分辨率和工艺窗口.docx

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9.光刻分辨率和工艺窗口

9.1光刻分辨率的定义和影响因素

光刻分辨率是指在光刻过程中，能够准确复制的最小图形尺寸。光刻分辨率的高低直接影响到芯片的性能和集成度。分辨率越高，能够在单位面积内集成的晶体管数量越多，芯片的性能也就越强。

光刻分辨率主要受以下因素影响：

波长（Wavelength,λ）：光刻分辨率与波长成正比，波长越短，分辨率越高。

数值孔径（NumericalAperture,NA）：数值孔径决定了光刻系统的成像能力，数值孔径越大，分辨率越高。

工艺因子（ProcessFactor,k1）：工艺因子是一个综合参数，反映了光刻工

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