士兰微一级代理商SVS5N70DD2深圳恒锐丰科技.pdf

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士兰微电子SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2说明书

5A，700V超结MOS功率管

描述2

SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2N沟道增强型高压功率MOSFET采用3

TO-251J-3L

士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损1

耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关3

拓扑。1.栅极2.漏极3.源极12

TO-262-3L

特点

5A，700V，RDS(on)(典型值)=0.8@VGS=10V

创新高压技术

低栅极电荷31

定期额定雪崩TO-252-2LTO-220F-3L

较强dv/dt能力

高电流峰值

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVS5N70FD2TO-220F-3L5N70FD2无卤料管

SVS5N70DD2TRTO-252-2L5N70DD2无卤编带

SVS5N70MJD2TO-251J-3L5N70MJD2无卤料管

SVS5N70KD2TO-262-3LSVS5N70KD2无卤料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2

http://

该用户很懒，什么也没介绍

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