士兰微一级代理商SVS7N65D深圳恒锐丰科技.pdf

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士兰微电子SVS7N65F/D/MJ说明书

7A,650V超结MOS功率管

描述

SVS7N65F/D/MJN沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电

子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得

功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS7N65F应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。31

TO-252-2L

1.栅极2.漏极3.源极

特点

7A,650V,RDS(on)(典型值)=0.55@VGS=10V

创新高压技术

低栅极电荷1

定期额定雪崩3

TO-220F-3LTO-251J-3L

较强dv/dt能力

高电流峰值

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVS7N65FTO-220F-3LSVS7N65F无卤料管

SVS7N65DTO-252-2LSVS7N65D无卤料管

SVS7N65DTRTO-252-2LSVS7N65D无卤编带

SVS7N65MJTO-251J-3LSVS7N65MJ无卤料管

极限参数(除非特殊说明，T=25C)

参数值

参数名称符号单位

该用户很懒，什么也没介绍

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