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士兰微电子SVS11N65T/F/K/S说明书
11A,650VDPMOS功率管
描述2
SVS11N65T/F/K/SN沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微1
2
电子DPMOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得13
TO-262-3L
功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
3
此外，SVS11N65T/F/K/S应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
1.栅极2.漏极3.源极
特点1
3
11A,650V,RDS(on)(典型值)=0.37@VGS=10VTO-263-2L
创新高压技术
低栅极电荷
1
定期额定雪崩1223
3
较强dv/dt能力
TO-220F-3LTO-220-3L
高电流峰值
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装形式
SVS11N65TTO-220-3LSVS11N65T无卤料管
SVS11N65FTO-220F-3LSVS11N65F无卤料管
SVS11N65KTO-262-3LSVS11N65K无卤料管
SVS11N65STO-263-2LSVS11N65无卤料管
SVS11N65STRTO-263-2LSVS11N65无卤编带
极限参数(除非特殊说明，T=25C)
C
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