士兰微一级代理商SVS11N65DD2深圳恒锐丰科技.pdf

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士兰微电子SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2说明书

11A，650V超结MOS功率管

描述2

SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2N沟道增强型高压功率MOSFET采用

士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。

使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。1

此外，SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关3

拓扑。1.栅极2.漏极3.源极TO-263-2L

特点

11A，650V，RDS(on)(典型值)=0.33@VGS=10V3TO-220FJ-3L

创新高压技术

低栅极电荷

定期额定雪崩3123

较强dv/dt能力TO-252-2LTO-220F-3L

高电流峰值

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVS11N65DD2TRTO-252-2L11N65DD2无卤编带

SVS11N65FD2TO-220F-3L11N65FD2无卤料管

SVS11N65SD2TO-263-2L11N65SD2无卤料管

SVS11N65SD2TRTO-263-2L11N65SD2无卤编带

SVS11N65FJD2TO-220FJ-3L11N65FJD2无卤料管

极限参数（除非特殊说明，T=25C）

参数值

参数符号单位

SVS11N65DD2SVS11N65F/FJD2SVS11N65SD2

漏源电压

该用户很懒，什么也没介绍

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