士兰微一级代理商SVS7N70D深圳恒锐丰科技.pdf

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SVS7N70D说明书

7A,700VDPMOS功率管

描述

SVS7N70DN沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子DP

MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具

有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS7N70D应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

特点

7A,700V,DS(on)(典型值)=0.52@VGS=10V

创新高压技术

低栅极电荷

定期额定雪崩

较强dv/dt能力

高电流峰值

产品规格分类

产品名封装形式打印名环保等级包装形式

SVS7N70DTTO-252-2LSVS7N70D无卤编带

极限参数(除非特殊说明，T=25C)

参数名符号参数范围单位

漏源电压VDS700V

栅源电压VGS±30V

T=25°C7.0

漏极电流IA

T=100°C4

漏极脉冲电流IDM25A

耗散功率(T=25C)73W

该用户很懒，什么也没介绍

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