士兰微一级代理商SVS7N70DD2深圳恒锐丰科技.pdf

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士兰微电子SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2说明书

7A,700V超结MOS功率管

描述2

SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2N沟道增强型高压功率MOSFET采用

1

士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损

耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度等特性,提高热行为。

3

此外,SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓1.栅极2.漏极3.源极

扑,照明,适配器等领域。

1

特点31

3

TO-252-2LTO-263-2L

7A,700V,RDS(on)(典型值)=0.52@VGS=10V

创新高压技术

低栅极电荷121

32

3

较强的雪崩能力TO-251J-3LTO-220F-3L

较强的dv/dt能力

较高的峰值电流能力

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVS7N70FD2TO-220F-3L7N70FD2无卤料管

SVS7N70DD2TRTO-252-2L7N70DD2无卤编带

SVS7N70MJD2TO-251J-3L7N70MJD2无卤料管

SVS7N70SD2TO-263-2L7N70SD2无卤料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.2

http://共9页第1页

士兰微电子

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