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士兰微一级代理商SVG104R0NF深圳恒锐丰.pdf

士兰微电子SVG104R0NT(S)(F)说明书

120A、100VN沟道增强型场效应管

描述2

SVG104R0NT(S)(F)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用

士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有1

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

3

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极2.漏极3.源极

特点

120A,100V,R=3.4m@V=10V

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