功率器件习题 .pdf

第一章

1-1（功率半导体分立器件的分类。）

答：晶体管transistor、整流器rectifier、可控晶闸管thyristor

1-2、pleaselistthenameofpopularpowerswitch。(常用的功率开关)

答：功率开关包括功率晶体管（powerMOSFET、IGBT、Bipolardevice）和整流器。

1-3、Definetheidealpowersemiconductordevice。（定义理想的功率半导体器件）

答：理想的功率半导体器件是要求在功率输出时损耗为零，即开态时压降为0，关态时

电流为0。

1-5、listthedevicnameyouknownthathasthenormally-offperformance？（那些器件具有常关

特性）

答：n-MOS、IGBT、VDMOS、TrenchMOS等n沟道器件都是常关的。

1-6.whichisthepreferablefornormalsystem?normally-ondeviceornormally-off?givethe

reason.

答:常关器件更为常用。因为在不加栅压时常开器件电流为0而常开器件的电流不为0。

并且在栅控电路无法工作时及时的阻止电流流向负载是很重要的。所以常关器件更便于控

制。

1-7、listtheinternationalsemiconductorcompanynameyouknowtheproductthepower

semiconductordevices。

答:Infineon、MitsubishiElectric、Toshiba、Sanken、STMicro、InternationRectifier

FujiElectric、RenesasOnsemi、Fairchild,Semikron,Vishay,NXP、Shindengen、

AlphaOmega

第二章(结击穿和结终端技术）

1、whatismeantbyimpactionizationcoefficientofhole(electron)?什么是空穴（电子）的碰撞

电离率？





答：空穴（电子）的碰撞电离率p(n)是每个空穴(电子）在耗尽层内沿着电场方向运

动1cm通过碰撞电离所产生的电子-空穴对数。

2、whatisaplanejunction?什么是平面结

答：平面结是各种pn结中最简单的形式，也叫平行平面结，一维二极管或理想pn结，

平面结没有边界，具有一维性质的电场。

3、definethepunch-throughdiodestructure.定义穿通二极管结构

答：穿通结构在低掺杂浓度一侧连有一高掺杂区域，低掺杂一侧的厚度小于击穿时耗尽

区的最大宽度，其一般是P+N-N+结构。

4、

itdecreasewiththeincreasingoftemperature.为什么碰撞电离率随着电场的增大而增大，随着

温度的升高而减小？

l

E



答：EqEdxE为载流子在很高的电场下运动所获得的能量，当达到一定值

0

时，便会发生碰撞电离，电场越大，E增加也越快，单位距离内通过碰撞电离产生的电子

-空穴对也越多，所以碰撞电离率越大，温度升高时，半导体晶格振动加强，载流子与晶格

碰撞损失的能量也增加，从电场积累能量的速率变慢。

x

d





5、解释此公式的物理效应。dx1

0