BaTiO3_Nb_SrTiO3异质结的铁电阻变及突触可塑性研究.pdf

摘要

在后摩尔时代，受大脑启发的神经形态计算已经深入渗透到大数据时代，新兴技术

的发展需要有效地处理大量信息，并克服传统的冯·诺伊曼计算架构的技术瓶颈。对模

拟突触电子设备的研究是实现高效的脑启发神经形态计算系统的重要一步。在各种电子

突触中，新型铁电忆阻器被认为是一种很有前途的候选材料。铁电忆阻器具有良好的稳

定性、较高的开关速度和较长的耐久性，均优于传统氧化物的记忆器件。铁电忆阻器是

一种双端三明治忆阻器件，由夹在两个金属电极之间的铁电薄膜组成。它们的电阻开关

行为可以归因于内部势垒的变化，这可以由铁电极化来调节。对于神经形态计算系统，

可调节的突触模拟、矩阵的应用和存算一体技术对于处理复杂任务具有重要意义。突触

可塑性的模拟需要具有稳定和非易失特性的器件。然而，对于铁电突触器件更容易具有

其优越的非易失存储特性。钙钛矿结构的钛酸钡（BaTiO）具有优异的铁电性、非易失

3

性、整流特性和电导的连续变化，这都为模拟生物突触特性提供了不可或缺的条件。所

以我们对BaTiO3（BTO）/Nb:SrTiO3（NSTO）异质结在模拟生物突触方面进行了详细

的探究。

本文在NSTO衬底上通过脉冲激光沉积制备了不同激光能量密度的BTO薄膜，经

过XRD测试得出薄膜是外延生长并且质量较好。通过电学测试初步判断了二者的差异，

为了探究不同激光能量薄膜铁电性的差异到底是由于什么原因导致的，对薄膜进行了

PFM和XPS分析。从实验中得出高激光能量密度的薄膜具有较好的铁电性，而低激光

能量密度的薄膜铁电性较差，导致低激光能量密度薄膜铁电性较差的原因是由于缺陷氧

空位导致的，并且用XPS观测出了元素价态的变化。这对探究高低激光能量密度对BTO

薄膜铁电性的影响做出了贡献。

利用铁电材料模拟人工突触具有低功耗、稳定、快速等优点。将高激光能量密度下

的BTO薄膜制成Pt/BTO/NSTO/In器件探究其在模拟生物突触方面的优势。通过在不同

脉宽条件下的探究发现器件在毫秒脉宽下具有成对脉冲促进现象，毫秒的脉冲宽度和生

物突触的响应时间一致，这也说明了器件可以模拟生物尺度的突触现象。更快的速度符

合现在的需求，我们改变了脉冲宽度发现在微秒量级器件可以模拟成对脉冲抑制现象，

这对模拟更快速的生物神经元打下了基础。最后在不同脉冲宽度下成功模拟出了尖峰时

I

间依赖可塑性（STDP）、尖峰频率依赖可塑性（SRDP）并且成功实现了正常和反常的

BCM学习规则。为了下一步模拟神经网络打下基础。

电极的选择会直接影响器件模拟生物突触的性能，探究不同电极的功函数是如何改

善突触的性能。我们通过制备了Pt/BTO/NSTO/In器件和Au/Cr/BTO/NSTO/In器件发现

在电压为−6V，脉冲宽度为1s，外接串联电阻为5MΩ条件下器件均表现为成对脉冲

促进现象。通过对器件的弛豫时间，尖峰振幅依赖可塑性（SADP），尖峰时间依赖可塑

性（STDP），SRDP进行模拟，发现Au/Cr/BTO/NSTO/In器件的突触权重大于

Pt/BTO/NSTO/In器件，这说明Au/Cr电极功函数会提高器件的突触连接强度。这一探

究为电极如何影响突触权重做出了详细的对比。

最后，通过对电路外接串联定值电阻的改变发现外接定值电阻会直接影响突触特性。

通过逐渐改变定值电阻为120Ω到10MΩ详细探究了在不同的定值电阻下器件的突触

特性。在较小的定值电阻下器件表现为抑制现象，但是随着串联电阻的逐渐增加抑制转

变为促进，这和器件所分得的电压有直接到关系。所以选择电阻为1kΩ和5MΩ两个

串联电阻详细的探究了器件的突触性质，器件在外接串联电阻为1kΩ时表现为抑制特

性，在外接串联电阻为5MΩ时反而表现为促进特性，这与不同脉冲宽度对器件的调控

效果是相同的，通过改变外接串联电阻来调控器件的可塑性是又一种方便快捷的方法。

关键词：不同激光能量密度，BaTiO/Nb:SrTiO异质结构，突触可塑性，BCM学习规则，

3