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- 2024-11-28 发布于广东
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SVG10120NAT(D)说明书
80A、100VN沟道增强型场效应管
描述
SVG10120NAT(D)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的
LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通
电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
80A，100V，RDS(on)（典型值）10m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVG10120NATTO-220-3L10120NAT无铅料管
SVG10120NADTRTO-252-2L10120NAD无卤编带
杭州士兰微电子股份有限公司
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