《稀土掺杂Al1-xInxN薄膜的制备及其光电性能研究》.docx

下载文档

0
0
约7.99千字
约 16页
2024-12-02 发布于北京
举报
版权申诉
保障服务

《稀土掺杂Al1-xInxN薄膜的制备及其光电性能研究》.docx

1、本文档共16页，其中可免费阅读5页，需付费70金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

《稀土掺杂Al1-xInxN薄膜的制备及其光电性能研究》

一、引言

随着科技的飞速发展，稀土掺杂的半导体材料因其独特的物理和化学性质，在光电子器件、太阳能电池、生物医学等领域展现出广泛的应用前景。Al1-xInxN作为一种典型的III-V族氮化物半导体材料，其掺杂稀土后的光电性能更是引起了众多研究者的关注。本文将重点研究稀土掺杂Al1-xInxN薄膜的制备方法，以及其光电性能的优化和探究。

二、材料与方法

（一）材料准备

实验所需的原材料包括：稀土元素（如Eu、Ce等）的化合物，铝（Al）和铟（In）的金属靶材，氮气（N2）等。所有材料均需符合高纯度要求。

（二）制备方法

本实验采用脉冲激光沉