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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN109326726A
(43)申请公布日2019.02.12
(21)申请号CN201710641801.X
(22)申请日2017.07.31
(71)申请人TCL集团股份有限公司
地址516006广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
(72)发明人梁柱荣曹蔚然刘佳
(74)专利代理机构深圳中一专利商标事务所
代理人黄志云
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
QLED器件及其制备方法
(57)摘要
本发明提供了一种QLED器件，包
括依次设置的阳极、p型石墨烯层、空穴
注入层、量子点发光层和阴极，其中，所
述p型石墨烯层由p型掺杂石墨烯制成，
所述p型掺杂石墨烯选自吸附掺杂石墨
烯、晶格掺杂石墨烯中的至少一种。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2021-03-16授权授权
2021-03-09著录事项变更著录事项变更
2019-08-23实质审查的生效实质审查的生效
2019-02-12公开公开
权利要求说明书
1.一种QLED器件,其特征在于,包括依次设置的阳极、p型石墨烯层、空穴注入层、
量子点发光层和阴极,其中,所述p型石墨烯层由p型掺杂石墨烯制成,所述p型掺杂
石墨烯选自吸附掺杂石墨烯、晶格掺杂石墨烯中的至少一种。
2.如权利要求1所述的QLED器件,其特征在于,所述吸附掺杂石墨烯选自氮气掺杂
石墨烯、二氧化氮掺杂石墨烯、水分子掺杂石墨烯、含氟聚合物掺杂石墨烯、金属
掺杂石墨烯中的至少一种。
3.如权利要求1所述的QLED器件,其特征在于,所述晶格掺杂石墨烯选自卤素原子
掺杂石墨烯、硼原子掺杂石墨烯、氧原子掺杂石墨烯中的至少一种。
4.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件,其特征在于,所述p型掺杂石墨烯中,所
述掺杂物的掺杂百分含量为0.001-2%。
5.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件,其特征在于,所述p型石墨烯层的厚度
为1-80nm。
6.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件,其特征在于,还包括界面修饰层,所述界
面修饰层为空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔
离保护层中的至少一层。
7.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件,其特征在于,所述QLED器件为部分封
装QLED器件、全封装QLED器件或不封装QLED器件。
8.如权利要求1-7任一项所述QLED器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供阳极基板,在所述阳极基板上沉积p型石墨烯层;
在所述p型石墨烯层上依次沉积空穴注入层、量子点发光层和阴极,得到QLED器
件;或
提供阴极基板,在所述阴极基板上依次沉积量子点发光层、空穴注入层;
在所述空穴注入层上依次沉积p型石墨烯层和阳极,得到QLED器件。
9.如权利要求8所述的QLED器件的制备方法,其特征在于,在所述阳极基板上沉积
p型石墨烯层的方法为化学法或物理法。
10.如权利要求9所述的QLED器件的制备方法,其特征在于,所述化学法包括化学气
相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一
种;所述物理法包括物理镀膜法、溶液加工法,其中,所述溶液加工法包括旋涂法
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