半导体器件 第5-8部分：光电子器件 发光二极管 光电效率测试方法-编制说明.pdf

国家标准报批资料

国家标准《半导体器件第5-8部分：光电子器件发光二极

管光电效率测试方法》（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1.任务来源

根据国标委发【2023】58号文，国家标准委关于下达2023年第三批推荐性

国家标准计划及相关标准外文版的通知，《半导体器件第5-8部分：光电子器件

发光二极管光电效率测试方法》（项目编T-339），主办单位为厦门

市产品质量监督检验院等。

2.主要工作过程

本项目下达后，我单位成立了标准编制工作组，开展对Semiconductor

devices–Part5-8:Optoelectronicdevices–Lightemittingdiodes–

Testmethodofoptoelectronicefficienciesoflightemittingdiodes的

翻译工作，在校正和修改完善的基础上编制标准征求意见稿。

2024年2月，编制组组织召开标准起草会，标准主要起草单位、参与单位

及相关行业代表参加了会议，会后将标准草案进行修改后，形成征求意见稿，并

于2024年3月将征求意见稿资料上传至电子标准平台、国家标准委标准制修订

系统，进行广泛的意见征集，同时将标准征求意见稿资料发送给行业内相关的研

制单位、用户单位、检测机构等，广泛征求行业意见。

二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题

1.编制原则

本标准的编写格式满足GB/T1.1-2020的要求，编制程序符合相关文件的规

定。本标准等同采用IEC60747-5-8:2019，对其中的技术内容进行翻译，格式

按照我国标准规定的相关文件进行修改。

2.确定的主要内容

IEC60747系列的第5-8部分，规定了单个发光二极管（LED）芯片或不含

荧光粉的LED封装的各种效率的术语和测试方法，本标准对IEC60747第5-8

部分进行等同转化。本标准定义的效率测试方法包括功率效率（PE），外量子效

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率（EQE），电压效率（VE）以及光提取效率（LEE）。为了测量光提取效率（LEE），

使用内量子效率（IQE）的测量数据，其测试方法在GB/T15651其它部分中规定，

本部分仅给出注入效率（IE）和辐射效率（RE）的定义。

本标准不包含用于照明应用的白光LED。

3.解决的主要问题

光电子器件中的发光二极管具有节能、环保、寿命长、尺寸小、高能效、无

毒、通用性好、瞬间启动等优点被广泛使用于照明和显示领域，发光二极管的核

心部件是LED芯片，其发光效率的高低直接关系到发光二极管品质的高低。该标

准详细规定了不含荧光粉的单个LED芯片的各种效率的术语和具体的测试方法。

本标准等同采用IEC60747-5-8:2019制定，该标准的制定有利于指导发光二极管

及芯片的研制、采购、检测和使用。标准的等同制定可以促进发光二极管产品质

量水平的提升及产品的国际化，为发光二极管的产业发展提供技术支持。本标准

的制定有利于光电子器件标准体系的完善，有利于完善LED封装的考核评价，满

足LED封装产品国内外市场的需求，对促进评价机制和监督机制的建立具有重要

的作用。

三、主要试验（或验证）情况分析

本标准对IEC60747第5-8部分进行等同转化。IEC标准制定过程中已开展相

关方法及试验验证。

四、知识产权情况说明

本标准规定的内容是行业内通用性的内容，在标准编制过程中未识别出标准

的某些技术内容涉及专利。

五、产业化情况、推广应用论证和预期达到的经济效果

本标准的制定有利于指导LED产品的研制、生产、检测、采购和使用。等同

采用IEC标准制定国家标准，可以促进LED产品质量水平的提升及产品的国际化，

为LED产业发展提供技术支持。

六、采用国际标准和国外先进标准情况

本标准等同采用IEC607475-8：2019《Semiconductordevices–Part5-8:

Optoelectronicdevices–Lightemittingdiodes–Testmethodof

optoelectronicefficienciesoflight