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目录
中文摘要I
AbstractIII
第一章绪论1
1.1二维材料简介1
1.2MAZ类二维材料的物理性质1
24
1.2.1MAZ类材料的性质1
24
1.2.2MAZ类材料的性质调控2
24
1.3基于二维材料的自旋电子器件4
1.3.1二维磁阻器件5
1.3.2二维自旋逻辑门6
1.3.3二维自旋场效应晶体管7
1.4本文拟开展研究工作介绍7
第二章理论计算方法9
2.1密度泛函理论9
2.1.1Born-Oppenheimer近似9
2.1.2Hohenberg-Kohn定理10
2.1.3Kohn-Sham方程11
2.2量子输运中的非平衡格林函数方法12
2.2.1基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法12
2.2.2基于密度泛函理论的非平衡格林函数自洽迭代过程15
第三章4d过渡金属原子吸附WGeN单层的电子与自旋输运性质研究17
24
3.1引言17
3.2理论模型和计算参数18
3.3结果与讨论19
3.3.1材料的电子性质19
3.3.2器件的自旋输运性质24
3.4本章小结26
第四章过渡金属原子掺杂VSiN单层的电子与自旋输运性质研究29
24
4.1引言29
4.2器件模型和计算参数30
4.3结果与讨论31
4.3.1材料的电子性质31
4.3.2器件的自旋输运性质35
4.4本章小结39
第五章基于VSiN/MAN/VSiN(M=Cr/Mo/W;A=Si/Ge)磁性隧道结的自旋输运性质研
242424
究41
5.1引言41
5.2器件模型和计算参数42
5.3结果与讨论44
5.3.1材料的电子性质44
5.3.2零偏压下磁性隧道结的自旋输运性质44
5.3.3低偏压下磁性隧道结的自旋输运性质47
5.4本章小结49
第六章总结与展望51
6.1本文工作总结51
6.2工作展望52
参考文献53
攻读硕士学位期间的研究成果63
致谢65
MAZ类二维材料的电子性质调控与自旋输运性质研究
24
中文摘要
二维材料的原子级厚度、高比表面积、高机械强度、易于调控的电子性质使得其在
电子学、自旋电子学等领域有着广阔的应用前景。采用表面吸附、杂质掺杂、空位缺陷
以及施加电场等方式对二维材料的电子性质进行调控，可以实现电子器件性能的优化。
本文基于第一性原理计算，采用杂质原子吸附、掺杂等方式调控二维MAZ类材料的电
24
子性质，设计了自旋电子器件，研究了器件的自旋输运性质，论证了它们在自旋电子学
领域的潜在应用价值。本论文的主要研究内容与研究结果如下：
1.4d过渡金属原子吸附的WGeN材料的电子性质与自旋输运性质研究
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