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总第14卷155期大众科技VoL．14N0．7
2012年7月PopularScienceTechnologyJuly2012
CIGS薄膜太阳能电池的制备工艺和产业化前景
何焕全陈进中伍祥武
(1．广西铟锡锑工程技术研究中心，广西柳州545006；
2．柳州百韧特先进材料有限公司，广西柳州1545006)
【摘要】文章介绍了CIGS薄膜太阳能电池的结构及特性、吸收层的主要制备工艺、并简述了其产业化前景。
【关键词】CIGS薄膜太阳能电池结构；制备工艺；产业化前景
【中图分类号】TM914．4【文献标识码】A【文章编号】1008—1151(2012)07—0193—02
CIGSthinfilmsolarcellfabricationprocessandtheprospectsofindustrialization
Abstract：ThisarticledescribesthestructureandpropertiesoftheCIGSthinfilmsolarcellabsorberlayer
preparationprocess，andoutlineditsindustrialprospects．
Keywords：CIGSthinfiImsolarcel1structure：PreparationProcess：Industrialprospects
铜铟镓硒[CIGS]薄膜太阳能电池由于转换效率高、无衰制备条件要求极为苛刻。
退、抗辐射能力强、寿命长、弱光性能好、本低廉生产成本1．2ClGs薄膜太阳能电池特性
低、光谱响应范围宽以及可淀积在柔性基底上等特点，被国(1)电效率高：CIGS是己知光吸收系数(系数达到105
际上称为下一时代最有前途的新型薄膜太阳能电池。／cm)最高的材料，而且是一种直接带隙半导体材料，非常
适用于制备薄膜太阳能电池，用其制备的电池吸收层的厚度
1CIGS薄膜太阳能电池的结构及特性
可降低到l~3um，把原料的消耗降低到最小限度。
1．1CIGs薄膜太阳能电池的结构(2)具有独特的Na效应：对于硅系半导体，玻璃中大
CIGS薄膜太阳能电池是以P型半导体铜铟镓硒CIGS作量的Na离子是其恐怖的性能杀手，而在CIGS太阳能电池中，
为吸收层，n型半导体材料作为窗口层的薄膜型太阳能电池，微量Na可大幅度地改善薄膜的结晶形貌和传输性能，从而提
CIGS薄膜电池的基本结构如下：高太阳能电池的转换效率和成品率，并且可以使用价格低廉、
玻璃衬底、M0导电层、CIGS吸收层、CdS过渡层、ZnO热膨胀系数接近的钠钙玻璃作为电池的基板。
异质结N型层、ZnO窗口层、MgF2防反射层和电极。Mo作为(3)成本低，可加工性能好：CIGS可以在玻璃和柔性
电池的底电极，要求具有比较好的结晶度和表面电阻；CIGS基片上形成少缺陷、大晶粒、高结晶的多晶薄膜，这往往是
层作为光吸收层，要求所做出的半导体薄膜是P型的，且为其它多晶薄膜无法达到的，而且，由于材料的用量非常少，
黄铜矿结构；CdS作为缓冲层，降低ZnO与CIGS之间带隙的所以电池的制造成本低。
不连续性，解决CIS表面的不平整；ZnO(AZO)与A1电极构(4)光学带系可调：Ga替代In形成CuIn。一,GaSe：固溶
成欧姆接触；ZnO层与CIGS构成pn结，并且吸收短波太阳体，可以使半导体的禁带宽度在1．04～1．65eV
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