玻璃基板有望成为载板未来发展趋势，关注玻璃基板国产进程.pptx

Presentation：玻璃基板有望成为载板未来发展趋势，关注玻璃基板国产进程

GlassSubstratesPoisedtoLeadFutureTrendsinCarrierDevelopment:FocusonDomesticProgress;IC载板是芯片封装环节的核心材料，玻璃基板有望成为载板未来发展趋势。IC封装基板不仅为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时在芯片与PCB之间提供电子连接，起着“承上启下”的作用。2023年全球传统ABF载板市场规模为507.12亿元。英特尔认为玻璃基板是载板未来发展趋势，在本世纪20年代末，将发生由有机基板向玻璃基板的转变。玻璃基板并不意味着用玻璃取代传统载板中的所有有机材料，而是载板的核心层采用玻璃材质。对于核心层上下两端的增层部分而言，依然可以使用ABF进行增层。

玻璃基板有望解决封装基板向大尺寸、高叠层持续迈进下出现的翘曲问题。先进封装下高端算力芯片及相应载板面积持续增大。根据台积电技术路线，其正在开发制造超大尺寸中介层的方法，计划至2027年中介层可以达到光罩极限的8倍以上，载板面积将超过120mm×120mm。大尺寸封装下，硅芯片、载板不同组成部分间CTE差异将极易发生翘曲现象，而相对于有机材料，玻璃CTE更接近于硅，能有效对抗封装过程中的翘曲。

TGV玻璃成孔及孔内金属填充是玻璃基板生产的关键工艺。TGV（ThroughGlassVia，玻璃通孔）能够在玻璃基板上形成微小的导电通孔，从而实现芯片

间的高效连接。TGV是生产用于先进封装玻璃基板的关键工艺。TGV主要流程可分为玻璃成孔、孔内金属填充两大环节。TGV玻璃成孔环节中激光诱导湿

法刻蚀技术具备大规模应用前景。TGV孔径较大，多为通孔，而且由于玻璃表面平滑，与常用金属（如Cu）的黏附性较差，容易造成玻璃衬底与金属层之间的分层现象，导致金属层卷曲甚至脱落等现象，提高金属层与玻璃表面的粘附性是产业目前的研究重点。

我们认为随着封装基板向大尺寸、高叠层方向发展，封装芯片存在的翘曲问题日渐突出。玻璃基板凭借其与硅芯片良好的CTE匹配度，能有效对抗封装过程中的翘曲问题，玻璃基板是封装基板未来的技术发展趋势。受益于先进封装下大尺寸AI算力芯片更新迭代，玻璃基板产业链有望迎来加速???长。建议关注：沃格光电、兴森科技。

风险提示：全球宏观经济增长不及预期，云厂商资本开支不及预期，国产厂商玻璃基板研究进程不及预期。;一、传统IC载板与玻璃基板介绍

二、封装基板向大尺寸、高叠层持续迈进，玻璃基板有望解决封装芯片翘曲问题三、TGV玻璃成孔及孔内金属填充是玻璃基板生产的关键工艺;IC载板是芯片封装环节的核心材料。IC载板具有高密度、高精度、高性能、小型化及薄型化等特点，与裸片、引线等经过封装测试后共同组成芯片。IC载板不仅为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时在芯片与PCB之间提供电子连接，起着“承上启下”的作用。;资料来源：品化科技官网，《和美精艺第一轮审核问询函的回复》，;ABF载板通常由中心的Core层和两边的ABF积层组成：核心层通常选用BT树脂材料，积层膜为ABF，是日本味之素公司在生产味精时的一种副产物，是一种用合成树脂类材料做成的薄膜，具有很好的绝缘性。

ABF载板的制造通常选用SAP工艺。SAP工艺是将内层基板做超粗化处理以增强介质和下层金属线路间的结合力，在基板2面贴增层介质，通过真空压膜和镜面钢板整平获得均匀覆盖在基板表面的介质层，激光钻孔后对介质表面做除胶工艺处理，清除钻孔产生的残渣并形成均匀的、纳米尺度的粗糙表面，在孔内及介质表面沉积疏松的化铜层，再经过图形发生

（包括贴膜、曝光、显影工艺）和图形转移（包括图形电镀、剥膜和闪蚀）等一系列工艺形成增层线路。;英特尔认为玻璃基板是载板未来发展趋势。根据英特尔官网披露，到这个十年末，有机材料封装上扩展晶体管的能力上可能会达到极限。这些有机材料消耗更多电力，并存在诸如收缩和翘曲等局限性，而玻璃基板是半导体发展的可行且关键的下一步解决方案。英特尔认为主流的载板封装技术每15年会改变一次，在这个十年末，将发生由有机基板向玻璃基板的转变，但有机基板和玻璃基板将会共存。;玻璃基板并不意味着用玻璃取代整个基板，而是载板的核心层采用玻璃材质。对于核心层上下两端的增层部分而言，依然可以使用ABF材料进行增层。

相比有机载板，玻璃基板具备诸多优势。玻璃基板具有可调弹性模量与与硅更接近的热膨胀系数（CTE），使得玻璃基板可支持更大尺寸的封装。玻璃基板通孔密度相对较高，有利于改善基板布线和信号传输。同时，其介电损耗

低，可实现高速信号传输。;一、传统IC载板与玻璃基板介绍

二、封装基板向大尺寸、高叠层持续迈进，玻璃基