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证券研究报告|机械设备|2024年03月31日

机械团队•行业专题报告

HBM专题：AI巨轮滚滚而来，哪些设备会受益于算力基础HBM？

分析师李鲁靖登记编号：S1220523090002

报告摘要

HBM基本介绍：HBM（HighBandwidthMemory,高带宽存储）由DRAM芯片堆叠而来，可有效缓解内存墙问题，优异性能适配AI

时代的算力需求。

HBM市场情况：目前HBM已经迭代至第五代（HBM3E），预计今年上半年SK海力士、三星和镁光均可以实现HBM3E的量产出货。

TrendForce集邦咨询预计今年开始HBM3将成为市场主流产品，从格局上看，入局较早的SK海力士和三星几乎瓜分HBM市场,

预计24年末HBMTSV的产能为25万片/月。

HBM核心工艺及所用设备：HBM的良率比相同制程、相同容量的GDDR5低20-30%，核心在于堆叠，而堆叠的核心在于TSV和键合。

•TSV的制备与前段工艺类似，需要经过光刻、刻蚀、沉积、电镀和CMP等工艺，其中，难度较大的工艺为电镀铜。

•键合技术可以分为有微凸块的键合技术和无微凸块的混合键合技术，目前量产工艺均使用前者，但是SK海力士和三星的

技术路线存在差异，前者由TC-NCF转向MR-MUF，三星则一直使用TC-NCF,二者各有优劣势。混合键合是大厂布局的下一代

键合技术，可以通过去掉芯片之间的填充材料而有效降低芯片厚度，其可以分为W2W和D2W，前者因为生产效率高等优势

而商业化程度比较高，后者至今只有AMD某款芯片一个应用场景，可以减少浪费。

•除此之外，抛光减薄、临时键合/解键合工艺也起到了重要的辅助作用。

•在测试方面，因为结构复杂，HBM对存储测试机提出了更高的要求。

HBM对设备的增量需求对前道设备而言，HBM会带动前道制造设备的需求，但是相对有限，后道的封测设备则存在量价齐升的

逻辑，另外，若未来混合键合技术得以应用，混合键合设备市场规模将会有明显扩容。

建议关注：前道制造环节：北方华创、中微公司、拓荆科技、芯源微、盛美上海、华海清科、精测电子等；封测环节：长川

科技、精智达、盛美上海、华封科技（未上市）、光力科技、华海清科、拓荆科技、芯源微等。

风险提示：新技术开发/量产进度不及预期风险、设备厂商的相关设备验证进展不及预期风险、地缘政治风险等

资料来源：方正证券研究所2

1、基本介绍：HBM由单层DRAM堆叠而来，优异性能可缓解内存墙问题

HBM是DRAM芯片进行3D堆叠后的存储颗粒，优异性能适配AI时代的算力需求。当下AI时代已经正式拉开序幕，随着以数据为

中心的技术高速发展，ChatGPT等大语言模型需要的数据量呈现指数级增长，内存技术的发展相比处理器而言明显滞后，内

存墙（存储能力无法满足数据处理的带宽、容量、时延、功耗时出现的现象）问题成为业内亟需解决的问题。而HBM将DRAM

芯片进行三维堆叠（当前技术已经可以实现12层堆叠），同时增加容量和带宽，内存墙问题得到有效缓解。

图：内存墙现象愈发明显图：采用HBM内存颗粒的算力卡（左图）和HBM结构示意图（右图）

资料来源：Micron、Samsung、方正证券研究所3

2、市场情况：目前HBM技术发展至第五代，全球主要供应商为SK海力士、三星和镁光

HBM技术基本保持2年迭代一次的速度，预计三大厂均能在上半年完成第五代产品的量产出货。2014年，SK海力士联合AMD研

发第一款HBM芯片，2015年首先亮相于AMD的R9390X和R9390显卡，随后，三星跟进布局，2020年，在三星、SK海力士先后

量产HBM2e之后，镁光也加入HBM出货行列。发展至今，HBM技术已经来到第五代，根据各大厂的规划，我们预计今年上半年

三家大厂均可实现HBM3e的量产出货。

从不同技术代来看，HBM3正逐步成为主流需求。Trendforce的数据显示，就不同技术代的需求比重来看，2022年主流需求为

HBM2，2023年来看，主流需求逐步转向HBM3（占比约39%），预计2024年HBM3会成为主流需求，占比将达到60%。

SK海力士和三星几乎瓜分HBM市场。从营收市占率来看，三星和SK海力士入局较早，几乎平分市场，镁光入局较晚