《集成电路制造工艺与工程应用》第十四讲.pptxVIP

第十四讲：亚微米前段工艺制程技术;内容;阈值电压离子注入工艺

栅氧化层工艺;阈值电压离子注入工艺：通过离子注入调整器件沟道区域的杂质浓度，沟道区域的杂质浓度直接影响器件阈值电压，为了得到合适的器件性能，把沟道区域的杂质浓度调整到所适合的浓度是必须的。通常提高沟道区域的杂质浓度可以提高阈值电压，改善器件的漏电流。

清洗。将晶圆放入清洗槽中，清洗槽的溶液是一定比例的NH4OH、H2O2和H2O，得到清洁的硅表面，防止硅表面的杂质在生长牺牲层氧化硅时影响氧化层的质量。

;生长牺牲层氧化硅。利用炉管热氧化生长一层厚度约300?~400?的二氧化硅薄膜，它是干氧氧化法。因为这一层氧化物要在生长栅氧化层之前去除，所以称为牺牲氧化层（SacrificeOxide）。牺牲层氧化硅是非晶层，可以防止阈值电压离子注入隧道效应，隔离衬底硅与光刻胶，防止光刻胶中的有机物与硅接触污染衬底硅，也可以捕获硅表面的缺陷，改善表面界面态。同时生长牺牲层氧化硅可以改善白带效应对器件的影响。

;PMOS阈值电压调节（VTP）离子注入光刻处理。通过微影技术将VTP掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成VTP的光刻胶图案，非VTP区域上保留光刻胶。VTP用的是NW掩膜版。AA作为VTP光刻曝光对准。

量测VTP套刻。收集曝光之后的VTP与AA的套刻数据。

检查显影后曝光的图形。

;VTP离子注入。因为这一道工艺是调节PMOS的Vt以及防止沟道漏电，离子注入的深度比较浅，所以放在LOCOS形成之后，可以避免生长LOCOS场氧时的热量对VTP离子扩散的影响。

VTP离子注入包括两步:

第一步离子注入稍微深一点，能量也不是很高，作为沟道调节，注入磷离子。

第二步离子注入很浅，能量很低，作为PMOS的Vt调节，注入砷离子，另外砷是重离子，不容易扩散。

去光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。;NMOS阈值电压调节（VTN）离子注入光刻处理。过微影技术将VTN掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成VTN的光刻胶图案，非VTN区域上保留光刻胶。VTN用的PW掩膜版。AA作为VTN光刻曝光对准。

量测VTN套刻。收集曝光之后的VTN与AA的套刻数据。

检查显影后曝??的图形。

;VTN离子注入。与VTP类似，因为这一道工艺是调节NMOS的Vt以及防止沟道漏电，离子注入的深度比较浅，所以放在LOCOS形成之后，可以避免生长LOCOS场氧时的热量对VTN离子扩散的影响。

VTN离子注入包括两步:

第一步离子注入稍微深一点，能量也不是很高，作为沟道调节，注入硼离子。

第二步离子注入很浅，能量很低，作为NMOS的Vt调节，注入硼离子。

去光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。;清洗。将晶圆放入清洗槽中，清洗槽的溶液是一定比例的NH4OH、H2O2和H2O，得到清洁的表面,防止表面的杂质在后续退火工艺中扩散到内部。

VTN和VTP退火激活。利用快速热退火(RTP)?在900℃的H2环境中，退火的时间是5秒~10秒，目的是修复离子注入造成的硅表面晶体损伤，激活离子注入的杂质，同时也会造成杂质进一步扩散，RTP工艺可以减少杂质的扩散。?

湿法刻蚀去除牺牲层氧化硅。利用HF和H2O（比例是50：1）去除牺牲层氧化硅。;栅氧化层工艺：它是CMOS工艺制程技术中最重要的工艺步骤，它直接影响器件的阈值电压、饱和电流、栅极漏电流、栅极击穿电压和器件的可靠性。通过热氧化可以形成高质量的栅氧化层，它的热稳定性和界面态都非常好。

湿法刻蚀。利用酸槽去除自然氧化层，得到清洁的表面。因为后面一道工序是生长栅氧化层，对氧化膜的质量要求非常高，不能有缺陷，所以生长氧化硅前再过一道酸槽清除自然氧化层，同时热生长的栅氧化层厚度会更精确。;生长厚栅氧化层。利用炉管热氧化生长一层厚的二氧化硅栅氧化层，温度为900℃左右。先用湿氧氧化法，通入H2和O2的混合气体，然后用干氧氧化法，通入高纯度的氧气使硅氧化。干氧生长的氧化物结构、质地、均匀性均比湿氧生长的氧化物好，但用湿氧形成的氧化物的TDDB（TimeDependentDielectricBreakdown）比较长。TDDB是用于评估氧化物可靠性的参数。?;厚栅氧光刻处理。通过微影技术将厚栅氧掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成中压器件栅氧化层的图案，保留中压器件区域的光刻胶。

;量测厚栅氧光刻套刻。收集曝光之后的厚栅氧光刻与AA的套刻数据。

检查显影后曝光的图形。

;湿法刻蚀去除低压器件区域氧化层。通过湿法刻蚀去掉低压器件区域的氧化层，留下中压器件区域的栅氧。

去光